オーディオ・サブシステム

携帯電話が音楽やビデオの再生機能を搭載するのに伴い、高音響性能、高品質で歪みの無いサウンドが求められています。オーディオ品質を維持するために、送受信される音声信号をフィルタする必要があります。そして、オーディオ品質を損なうことなく、ハンドセット音声信号、ハンズフリー音声信号、リング・トーン、音楽およびビデオ・ファイルからのオーディオを切り替えるための機能が必要です。

オーディオ信号の効率的な増幅を提供するオン・セミコンダクタのNCP2820Class Dオーディオ・アンプは、1.4 Wの連続平均電力を1%以下の高調波歪みで8.0Ω負荷に供給します。NCP2820は90%以上の効率と2.5 mA（ティピカル）の非常に低いシャットダウン電流を提供し、バッテリ寿命を延長することができます。入力電圧範囲は2.5 V～5.5 Vで、1セルLi-Ionバッテリから直接ドライブが可能なため、電圧レギュレータを追加する必要はありません。イヤホン、スピーカ、そしてメロディ・リンガを1個のNCP2820デバイスで駆動することができます。オン・セミコンダクタは、クラスABおよびクラスDを含む高性能オーディオ・アンプのポートフォリオを提供しています。

最新の双極ダブル・スローおよび単極ダブル・スロー・アナログ・スイッチは、今日の民生用ハンドセット市場で要求されるさまざまなオーディオ信号の経路に必要な配線を提供します。NLAS3799B双極ダブル･スロー・アナログ・スイッチは、スピーカ出力とイヤホン用の高電流スイッチングを提供します。このスイッチはLi-ionバッテリで直接動作するため、電圧レギュレータは必要ありません。そして、集積ESD保護機能により、I/Oポートの近くに配置することが可能です。実装面積がわずか2.52 mm2、高さ0.55 mmの省スペースìQFN-10パッケージに収容されたNLAS5223B も同様の性能を提供します。

オーディオ・ライン保護

オン・セミコンダクタのESD5B5.0S過渡電圧サプレッサは、優れたクランピング能力、高速応答時間により、オーディオ・ジャック、イヤホン、およびマイクをESDから保護します。このデバイスは、IEC61000-4-2規格で測定した場合に最大30 kVのコンタクト入力ESDパルスをクランプすることができます。この性能は、わずか1.2 mm x 0.8 mm x 0.7 mmの超小型SOD-953パッケージで供給され、設計者はデバイスをオーディオ入力ジャックまたはポートの近くに配置して、保護を最適化することができます。

キーパッド保護

キーパッド上のすべてのボタンは、ESD問題の潜在的な発生源になります。オン・セミコンダクタのESD9X3.3S ESD保護ダイオードはわずか1.0 mm x 0.6 mm、プロフィール0.4 mmのSOD-923パッケージで供給され、キーパッドの下に配置できます。

最高水準のESD保護を上回るESD9X3.3Sは、IEC61000-4-2レベル4規格に準拠し、30 kVのコンタクト放電のクランプが可能です。

オン・セミコンダクタのESD9Xシリーズは、3.3 V、5 V、および12 VバージョンのSOD-923パッケージで供給されます。いずれのバージョンも優れたクランピング能力、1 ns（ティピカル）以下の高速応答時間を提供します。

Li-Ionバッテリ充電

今日の携帯電話は、USBポートや各種電源アダプタなどさまざま充電源を利用してバッテリを再充電できる必要があります。NCP1835Bバッテリ充電制御回路は、定電流、定電圧充電プロフィール、およびオンボード・サーマル・フォールドバック回路を備えており、これらの充電源を柔軟にサポートします。

1セルLi-ionバッテリを使用する場合、このデバイスは1%のレギュレーションで4.2 Vの出力電圧を生成します。また、電流安定化および充電終了検出機能によりバッテリ寿命を最適化します。

NCP1835Bは、外部MOSFET、センス抵抗、またはブロッキング・ダイオードが不要なため、充電回路向け省スペース・ソリューションを提供します。

オン・セミコンダクタのポートフォリオには、多様なバッテリ化学物質やセル構成に対応するバッテリ充電回路が含まれています。

LCDバックライト用誘導性ドライブ

オン・セミコンダクタのNCP5010LEDドライバは1.7 mm x 1.7 mmの小さな実装面積で500 mWの出力電力を提供し、最もスペース効率の高い回路デザインでは最大5個の白色LEDを駆動できます。NCP5010は、小型インダクタおよびコンデンサと組み合わせて使用するのに最適で、集積整流、過電圧保護、および短絡保護を備えており、従来より少ない外付け部品でLEDドライブ回路を実現し、部品費用を最小限に抑え、ハンドセットの全体的な信頼性を高めます。

ハンドセットをスタンバイ・モードにすると、このデバイスはカットオフ回路によりバッテリから負荷を切り離し、バッテリの電流需要を低減します。

バックライト用チャージポンプ・ドライブ

NCP5612デュアル・チャネル白色LEDドライバは、LCDディスプレイのバックライト用に設計されました。このデバイスは、ハンドセット上のプログラマブル調光機能で制御可能なライト・アイコンをサポートしています。このデバイスは単線シリアル・リンク・プロトコルでプログラムされています。

高効率チャージ・ポンプ構造をベースにした、NCP5612のビルトインDC/DCコンバータは87％の最大効率を達成しています。最終製品において一定した輝度を維持するために、このLEDドライバの出力電流許容差は1%、マッチング許容差は0.2%となっています。

データ・スイッチング用低容量アナログ・スイッチ

携帯電話にはこれまで以上に大量のデータを管理することが求められています。これらのデータはUSBインタフェースやUARTなどさまざまなソースからハンドセットに取り込まれます。設計者は複数のデータ・パスを切り替える手段を提供する必要があります。そして、各データ・パスは高速で干渉のないものでなければなりません。オン・セミコンダクタのアナログ・スイッチおよびディスクリート保護デバイスが役立ちます。

480 Mb/sの高速差動信号USB 2.0をサポートするNLAS7222デュアル単極ダブル・スロー・アナログ・スイッチは、標準12 pFのキャパシタンスおよび250 MHzで-45 dBのチャンネル間クロストーク除去能力を備え、ノイズの干渉を最小限に抑えます。

データ・サブシステムの電圧に敏感な部品をESDおよび過渡電圧イベントから保護するために、uESD3.3Dはクラス3 ESD定格、低リーク電流および1 ns以下のティピカル応答時間などの機能を兼ね備えています。サイズが1.4 mm x 0.6 mm x 0.5 mmのSOD-723パッケージで供給されるこれらのデバイスをデータ・ライン・コネクタおよびインタフェースの近くに配置して、ボード・スペースを最適化することができます。

uESDシリーズは、3.3 V、5 V、6 V、および12 Vの動作ピーク逆電圧で提供されます。

LCDインタフェース用ESD保護を備えたEMIフィルタリング

今日の携帯電話市場には高解像度カラーLCDディスプレイが含まれます。これらのディスプレイには、不要なノイズが表示された画像への干渉を防止する広帯域幅、低ノイズのデータ・ラインが必要です。

オン・セミコンダクタのNUF40014ラインEMIフィルタ・アレイは、最大減衰フィルタリングおよびESD保護を提供し、ベースバンド・チップ・セットからLCDディスプレイへの高速データ送信を可能にします。また、800 MHz～5 GHzの周波数でライン損失無しで-25 dB以上の減衰を達成します。

NUF4001は、150 MHzのカットオフ周波数および12 pF（ティピカル）の低キャパシタンスを特長とし、LCDインタフェースのフィルタリングおよび保護に最適です。

オン・セミコンダクタは、4、6、および8チャンネル・バージョンのEMIフィルタ・アレイを提供しており、最適な信頼性とデザインにおける柔軟性を提供します。

カメラ・インタフェース用ESD保護を備えたEMIフィルタリング

新しいハンドセットのデザインは、ユーザの元に届く前にEMIおよびRFI試験に合格しなければなりません。設計者はEMIおよびRFI要求条件を重要なデザイン・パラメータと捉えていますが、物理的スペース内に必要なフィルタ機能を搭載する必要があります。

カメラ・インタフェースのデータ・ラインのフィルタリングおよび保護を目的に開発されたオン・セミコンダクタの8ラインNUF8001EMIフィルタ・アレイは、コスト効果の高い省スペース・ソリューションを提供します。この低キャパシタンス・デバイスは、最大60 MHzのデータ・レートで信号をフィルタします。過渡電圧からの静電気放電をクランプし、ベースバンドとカメラ・インタフェース間のデータ・ラインへの損傷を防止するESD保護機能を備えています。NUF8001は、ìDFNパッケージで供給され、低プロフィールおよび小さな実装面積によりボード・スペースを最適化します。

過電圧保護回路内蔵

ハンドセットのバッテリ･サブシステムには、充電動作時にバッテリを保護するための保護機能が必要です。

すべての携帯電話向けに新たな水準の安全性を集積し実現したオン・セミコンダクタのNUS3045は、高性能過電圧保護回路と30 V Pチャンネル・パワーMOSFETを搭載しています。NUS3045は過電圧トランジェントおよび電源障害からの保護を提供し、障害状態が発生すると1.0 µs以内にすばやく負荷から入力電源を切り離します。

NUS3045のアナログ制御回路およびMOSFETは、低プロフィールDFNパッケージに統合され、ボード・スペースを節約し、既存のディスクリート・ソリューションの部品費用を削減します。

オン・セミコンダクタ製NUS2045の20 V MOSFETでも、同じ高いレベルの機能を利用できます。