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集積型パッシブ・デバイス

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製品説明

オン・セミコンダクターのHigh-Q™ IPD(Integrated Passive Device:集積型パッシブ・デバイス)プロセス技術は、ポータブル、ワイヤレス、およびRFアプリケーションで使用されるバルーン、フィルタ、カップラ、ダイプレクサなどの受動デバイスの製造に理想的な、コパー・オン高抵抗シリコン・プラットフォームを提供します。IPDはRFシステム・イン・パッケージ向けのコスト効果の高いソリューションを提供します。エンジニアリング・プロトタイプ作成のために、ファウンドリ・シャトル・サービスを利用できます。IPDテクノロジは、世界クラスの200mmウェハ製造施設での銅インダクタ、高精度キャパシタ、高精度抵抗の製造をサポートします。カスタム・アプリケーション向けにデザイン・サービスが提供されます。レイアウト、シミュレーション、および検証用に、全機能を備えたデザイン・キットが用意されています。


特長
  • High-Q™ 銅インダクタ
  • MIMキャパシタ
  • TiNメタル抵抗
  • 3メタル配線層(1 Al、2 Cu)
  • 200 mmシリコン・ウェハ径
  • 高抵抗シリコン基板
  • プレーナ・デュアル・ダマシン銅プロセス
  • 卓越したプロセス制御
  • 全機能を備えたデザイン・キット
  • デザイン・サービス
  • ファウンドリ・シャトル・サービス
  • ディスクリート・ソリューションよりも小面積
  • LTCCよりも薄い
  • GaAsよりも低コスト
  • 他のシリコン・ソリューションよりも高性能

プロセス特性

Si HRS 基板 1.5 kΩ∙cm
MIM キャパシタンス密度 0.62 fF/µm²
抵抗シート抵抗 9 Ω/square
インダクタ・シート抵抗 3.5 mΩ/square
ベースSi酸化膜厚 5.6 µm
MIM動作電圧 20 V
M1 Al メタル厚 2 µm
MN Cu メタル厚 5 µm
MN2 Cu メタル厚 5 µm
ボンド・パッド ワイヤボンド、フリップチップ

サンプル・プロセス・オプション

オプション マスク・レイヤ
IPD1 1 Al, 1 Cu メタル層
IPD2 1 Al, 2 Cu メタル層
メタル抵抗 Yes/No
MIM 誘電体厚
thickness
1 kÅ 標準, 2 kÅ オプション
ボンド・パッド ワイヤボンド、フリップチップ

デバイス特性
(値はすべて25℃時の標準値)

インダクタ

パラメータ 標準値 単位
銅厚 5, 10 µm
最小幅 5 µm
最大幅 40 µm
最小スペース 3 µm
最小内径 50 µm
推奨範囲 1-50 nH
ピークQ 25-45

抵抗

パラメータ 標準値 単位
最小幅 2 µm
最小長 9 µm

キャパシタ

パラメータ 標準値 単位
最小幅 15.75 µm
最大幅 450 µm
最大面積 45000 µm²
推奨範囲 1-100 pF

CAD ツールの互換性

回路図キャプチャ
Cadence Virtuoso
Agilent ADS

シミュレーション
Ansoft HFSS
Agilent ADS

配置・配線
Cadence Virtuoso
Agilent ADS

物理的検証
Cadence Assura
Mentor Calibre