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低電力、高電圧製造プロセス

「低電力」と「高電圧」は今日のスマート・パワーの要求を反映するキーワードです。これらの特性は両方とも、オン・セミコンダクターのミックスド・シグナル・プロセス・テクノロジの重要な特長です。

当社は、ウェハ径150 mm~200 mmを処理する複数のファブで製造された、広範なアナログ主体のCMOS / BCDMOSプロセス・テクノロジ・ファミリを提供しています。これらのミックスド・シグナル・プロセスは180 nm~0.5 µmであり、最大90 Vの電圧をサポートします。最高200° Cの温度で動作するASICを製造することも可能です。当社のテクノロジの大部分はフル・ミックスド・シグナル対応で、多重メタル層、多重ポリ層、厚/薄膜ゲート酸化物、MIMコンデンサ、ディープウェル/ディープトレンチ電圧分離を特徴としています。

オン・セミコンダクターが開発可能なASIC集積度の全範囲を示すチャートを参照してください。

詳細なミックスド・シグナル・プロセス・テクノロジ情報をご覧ください。