宇宙および高信頼性アプリケーション向けの堅牢なASIC製品群

オン・セミコンダクターは、宇宙および高信頼性用アプリケーション向けに重要な耐放射線性設計(RHBD)ソリューションを提供します。オン・セミコンダクターの110nmデジタルASIC(特定用途向け集積回路)プロセスによって、設計された製品は、SRL(自己修復ロジック)と呼ばれる新型のフリップフロップ構造を含んでいます。SLRは従来のRHBDフリップフロップ構造の能力をはるかに超え700MHzまで動作しながら、高い線エネルギー付与(LET)において、シングルイベントの影響に対して強い耐性を示します。オンボードのエラー訂正コード(ECC)付きのラッチアップ耐性デュアルポートSRAMが、クロック素子、高速I/Oセルおよびシングルイベント・ラッチアップ保護セルを強固なものにしました。これらのセルは、優れた価格、開発期間及び製造サイクルタイムを提供する、現在の商用デジタルASICフローと同等のものです。

ONC110 測定結果

Total Ionizing Dose (Si) 300kRads
SEU Onset LET (700 Mhz) 107 Mev cm2/mg (Si)
SEL Tolerant Tested to 125 Mev cm2/mg (Si) at 150°C and Vdd+10%
Dose Rate Upset Tested to 1x109 rad(si)/s
Dose Rate Latch-up Tested to 3x108 rad(si)/s
Neutron SEE 1x1012 n/cm2 (1MeV equivalent)

実績のある航空用耐放射線ソリューション

オン・セミコンダクターは、放射線の影響を緩和するための幅広いデザイン・ソリューションを有しています。耐性IPと実績のある商用ASIC開発フローの融合で、幅広いアプリケーションの、設計とアプリケーション・ニーズに見合う結果を提供します。オン・セミコンダクターのASICの歴史は50年を超え、多数のスペックからのデザイン、お客様との交流、およびFPGAコンバージョンの成功例があります。110nm RHBDを可能にすることにより、当社は、ASICの伝統技術を拡大し、既存の及び新しいお客様のニーズに応えることが可能です。