ON Semiconductor feeds

A Simple Solution to the Challenge of Automotive Audio Active Antenna Power Supply Design (NCV47700/1 Active Antenna Article)

Wed, 08 Feb 2012 07:00:00 GMT

A Simple Solution to the Challenge of Automotive Audio Active Antenna Power Supply Design (NCV47700/1 Active Antenna Article)

Phase Synchronizing Clock Generator

Thu, 02 Feb 2012 22:06:36 GMT

P1P3800A : Phase Synchronizing Clock Generator

LVCMOS Spread Spectrum Peak EMI Reduction Device

Thu, 02 Feb 2012 22:05:01 GMT

P3P8163A : LVCMOS Spread Spectrum Peak EMI Reduction Device

オン・セミコンダクター、第4四半期の決算を発表

Tue, 31 Jan 2012 07:00:00 GMT

2012年1月31日 –エネルギー効率の高い電子機器向け高性能シリコン・ソリューションを提供する最先端のサプライヤーであるオン・セミコンダクター (Nasdaq: ONNN) は、2012年2月8日水曜日の市場取引終了後に、2011年12月31日を期末とする第4四半期の決算を発表する予定です。

オン・セミコンダクターは、決算発表に続いて2月8日午後5:00時（東部標準時間）にカンファレンスコールを開催します。投資家および関係者がカンファレンスコールへアクセスする方法は以下の通りです。

• ウェブキャスト：弊社ウェブサイトhttp://www.onsemi.jp.の「投資家」セクションからカンファレンスコールのライブ・ウェブキャストにアクセスできます。再放送はライブ放送の約1時間後から30日間、同サイトで視聴いただけます。

• テレカンファレンス：決算報告書のテレフォン・カンファレンスには、888-546-9664（米国/カナダ）または973-935-8144（米国/カナダ以外）をダイヤルしてアクセスできます。このカンファレンスコールに参加するには、Conference ID Number（48965565）を入力する必要があります。

• テレカンファレンスの再生：ライブ放送の約1時間後から2012年2月15日までダイヤルインによる再生を提供します。テレカンファレンスの再生をお聴きいただくには、855-859-2056（米国/カナダ）または404-537-3406（米国/カナダ以外）に電話をおかけください。Conference ID Number（48965565）の入力が求められます。

300 mA低ドロップアウト電圧リニア・レギュレータ

Fri, 20 Jan 2012 06:50:09 GMT

CAT6220 : 300 mA低ドロップアウト電圧リニア・レギュレータ

2.3～6.5 Vの電圧範囲により、4個の炭素亜鉛電池またはアルカリ電池での動作が可能
標準動作電流: 10μA
小形セラミック出力コンデンサで安定動作

オン・セミコンダクター、信頼できる工場および仲介業者認定を取得

Thu, 19 Jan 2012 07:00:00 GMT

米国アリゾナ州フェニックス – 2012年1月19日 – エネルギー効率の高い電子機器のための高性能シリコン・ソリューションを提供する最先端のサプライヤーであるオン・セミコンダクター（Nasdaq: ONNN）のアイダホ州ポカテロの「Fab 10」およびオレゴン州のグレシャム施設が、カテゴリ1A信頼できる工場認定を取得しました。Trusted Foundryプログラムは、GPS、熱画像、暗号化メディアなど、幅広い重要なDOD(Department of Defense)アプリケーションに対する特定用途向け集積回路(ASIC)の開発と製造のための、信頼できる安定供給元を認定する米国防総省(DOD)のプロジェクトです。このプログラムは、システムの偽造、改ざん、または妨害行為の潜在的リスクをなくすことを追求しています。

Energy conservation fuels technology growth opportunities

Wed, 04 Jan 2012 07:00:00 GMT

Energy conservation fuels technology growth opportunities

Delivering Efficiency in White Goods

Wed, 04 Jan 2012 07:00:00 GMT

Delivering Efficiency in White Goods

オン・セミコンダクター、3億2,500万ドルの回転信用枠の契約を締結

Fri, 23 Dec 2011 07:00:00 GMT

米国アリゾナ州フェニックス－2011年12月23日－ オン・セミコンダクター・コーポレーション（Nasdaq: ONNN）は本日、銀行団と上位回転信用枠の契約を締結したことを発表しました。信用枠の設定によって、回転融資で3億2,500万USドルの借入が可能になります。新規信用枠は期間5年で2016年12月に期限が到来します。回転信用枠の手数料および支払利息は、当社のレバレッジ比率に基づいて変動することがあります。当社の現在のレバレッジ比率に基づき、回転信用枠は引き出しを実行した場合にLIBOR+1.75％の金利が発生する見込みです。現時点のように、当信用枠の引き出しがない場合は0.35%の年間契約手数料が発生します。この手数料も同様にレバレッジ比率に基づいて変動することがあります。

回転信用枠において、当社は最大レバレッジ比率を3.75倍未満に、最低のインタレスト・カバレッジ・レシオを3.50倍に維持する必要があります。信用枠から引き出した借入金は、一般事業資金、運転資金および買収などの領域に利用することができます。回転信用枠に関する詳細は、当社が本日申請したフォーム8-Kに記載されています。

オン･セミコンダクターの上席副社長兼CFO、Donald Colvinは次のように語っています。「銀行団の中核グループから魅力的な金利水準で3億2,500万ドルの回転信用枠を確保しました。」「この信用枠の設定により当社の信用力を強化し、長期的な企業目標を支える高い財務柔軟性を提供します。」

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この資料には、1995年米国私募証券訴訟改革法の意義の範囲内における「将来の見通しに関する記述」が含まれています。記載内容のうち歴史的事実を除くすべての記述は、将来の見通しに関する記述であり、特にオン・セミコンダクターの将来の財務業績に関する記述がこれに該当します。これらの将来の見通しに関する記述は、しばしば「確信しています」「予測します」「推測します」「見込みです」「可能性があります」「予定です」「つもりです」「計画しています」「予期しています」といった予測的な単語を伴う記述や、戦略、計画、意図に関する記述で表現されます。こうした将来の見通しに関する記述は、この資料の発行日において当社が知り得た情報および現在の見込み、予測、仮定に基づくもので、リスク、不確実性、その他の要因を含んでいるため、実際の結果は、将来の見通しに関する記述に示している業績と大きく異なる可能性があります。このような要素としては、当社の収益および業績、経済状況および市況（現在の信用および財務状況を含む）の悪化、為替レート変動の影響、半導体産業の周期性、当社の製品に対する需要の変化、当社の顧客および代理店の在庫の変化、技術および製品の開発リスク、当社の知的所有権の実施と保護および関連リスク、原料の入手可能性、電気・ガス・水・その他のサプライ・チェーンの不確実性、当社顧客に対する供給継続性を維持するために他の施設に製造を効率的に移行する当社の能力、半導体製品に対する変動需要および積極的な価格設定環境、当社の現行製品をコスト効率よく許容品質で量産する当社の能力、競合製品の発表による悪影響を含む競合他社の行動、価格および粗利益率の圧力、重要な顧客の喪失、注文の取消しや予約注文の縮小、製造歩留まりの変化、コストと支出の抑制および再編と相乗効果によるコスト削減の達成、重要な訴訟、将来の必要性に備えて現金を保有するのではなく、債務の返済や買収などの様々な用途のための手元資金を増加させる決定に関連するリスク、買収および譲渡に関連するリスク（三洋半導体などの最近買収した事業の統合と連結、および証券取引委員会への適時な財務情報の提出、および三洋半導体などの最近買収した事業の将来的な財務実績を正確に予測する上で遭遇する困難を含む）、当社のその時々の債務協定における実質的レバレッジおよび制限約款に関連するリスク、海外での雇用および労働組合や団体交渉協約に関連する労働問題を含む、国際的経営活動そして当社の経営や金融/財務に影響を及ぼす人災や、タイの洪水あるいは日本での地震や津波のような自然災害に関連するリスク、国際的武力紛争や米国内外におけるテロ活動の脅威または発生、企業統治および情報公開基準の新しい規制（2002 年米国企業改革法第404条への準拠を含む）に関連するリスクやコスト、新しい法的要件および環境またはその他の行政法規制に関するリスクがあります。将来の見通しに関する記述が実際の業績と大きく異なり得る他の要素に関する情報は、証券取引委員会に提出済みのオン・セミコンダクターの2010年3月を期末とするForm 10-K(年次報告書)、Form 10-Q(四半期報告書)、Form 8-K(最新報告書)、およびその他のSECファイリングに記載されています。これらのトレンド、リスク、または不確実性が実際に起こるか継続する場合は、当社の事業、財務状況、または業績が大きな影響を受ける可能性があり、当社株の株価が下落し、投資家が投資額の全額または一部を失う可能性があります。将来の見通しに関する記述に過度の信頼を置かないよう、ご注意ください。これらの将来の見通しに関する記述は、今後の任意の日付における当社の見解を表すものであり、当てにしてはなりません。また当社はこれらの記述を作成日以降の出来事や状況を反映して更新する、いかなる義務も負わないものとします。

オン･セミコンダクター、総額1億9,900万ドルの2026年償還の上位劣後転換社債（クーポン2.625%）への私募形式による交換を完了

Mon, 19 Dec 2011 07:00:00 GMT

米国アリゾナ州フェニックス – 2011年12月19日 - オン・セミコンダクター・コーポレーション(Nasdaq: ONNN) は本日、一部の保有者と2026年償還の元本総額約1億9,900万ドルの上位劣後転換社債（クーポン2.625%）への私募形式による相対交換を無事完了したことを発表しました。私募形式による相対交換の条件に従い、元本総額約1億9,900万ドルの既存の社債は、新規に発行される2026年償還の上位劣後転換社債（クーポン2.625%）の元本相当額と現金対価に交換されました。今回の取引に基づき発行される新規社債は、（1）本社債の保有者が（ある特定事由の発生に関係なく）保有する社債の買い戻しを当社に要求できる開始日が新規社債において2013年12月15日から2016年12月15日に延長、（2）選択によって本社債を償還できる権利が生じる開始日が新規社債において2013年12月15日から2016年12月15日に延長、（3）本社債が（ある特定事由の発生に関係なく）転換可能になる開始日が新規社債において2013年6月15日から2016年6月15日に延長されたこと以外は、既存の社債と実質的に同一条件となっています。それに加えて、特定の根本的な変化に関係して転換時に発行可能な追加株式数は、2011年12月2日の同社普通株1株8.04ドルの終値に基づき改定されました。

オン･セミコンダクターの上席副社長兼CFO、Donald Colvinは次のように語っています。「元本総額約1億9,900万ドル、クーポン2.625%の上位劣後転換社債への私募形式による相対交換が完了したことをお知らせいたします。」「今回の相対交換に伴い、オン･セミコンダクターは、2013年の総債務を約38%、すなわち1億9,900万ドルを削減することが可能になりました。」

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オン・セミコンダクターのトレンチ・ベース低順方向電圧ショットキ・レクティファイヤの新しいファミリがスイッチング効率向上を実現

Mon, 19 Dec 2011 07:00:00 GMT

2011年12月19日 – エネルギー効率の高い電子機器のための高性能シリコン・ソリューションを提供する最先端のサプライヤーであるオン・セミコンダクター（Nasdaq: ONNN）は、ノートブック・アダプタやフラット・パネル・ディスプレイ用スイッチング電源、逆バッテリ保護回路、高周波数DC-DCコンバータなどのアプリケーション向け100Vトレンチ・ベース低順方向電圧ショットキ・レクティファイヤ (LVFR) の新しいファミリを発表しました。

512 kbシリアルEEPROM

Fri, 16 Dec 2011 07:29:32 GMT

CAT25512 : 512 kbシリアルEEPROM

64k x 8ビット、128バイトのページ・ライト・バッファ
20 MHz SPIコンパチブル
電源電圧範囲： 1.8 V～5.5 V

20 A、450 V、N チャンネルIGBT

Fri, 16 Dec 2011 07:28:15 GMT

NGB8245 : 20 A、450 V、N チャンネルIGBT

温度補償機能付きゲート-コレクタ間電圧クランプ回路により負荷に印加されるストレスを制限
低スレッショルド電圧のため、電力負荷をロジック・デバイスまたはマイクロプロセッサ・デバイスにインタフェース可能
ゲート-エミッタESD保護および集積ESDダイオード保護

低ノイズ2チャネル・クロック・ファンアウト・バッファ

Fri, 16 Dec 2011 07:26:43 GMT

NB3RL02 : 低ノイズ2チャネル・クロック・ファンアウト・バッファ

TCXOなどの外部クロック・ソースを駆動するための集積LDO
スタンバイ・モードでの標準消費電力：0.2 µA
0.8 mm x 1.6 mm x 0.5 mm のWLCSP-8パッケージ

デュアル入力リセット・ジェネレータ

Thu, 15 Dec 2011 07:21:57 GMT

CAT871 CAT872 : デュアル入力リセット・ジェネレータ

ウォッチドッグ・タイマがディセーブルまたはフェイルとなった場合、マイクロ・ベースのシステムが再起動
10nA(標準)の超低静止電流
1.45 x 1.0 x 0.4 mm のULLGA-6パッケージ

デュアル高速低電力CANトランシーバ

Thu, 15 Dec 2011 07:21:01 GMT

NCV7441 : デュアル高速低電力CANトランシーバ

ISO 11898規格に適合
優れたESD性能(>10 kV)と電磁感受性の低減による性能改善
コモンモード・チョークなしで低電磁放射を実現

4ライン超低キャパシタンスESD保護

Thu, 15 Dec 2011 07:20:02 GMT

ESD7484 : 4ライン超低キャパシタンスESD保護

HDMI、IEEE 1394a/b/c、MIPIおよびLVDSに最適な優れたESD保護
非常に高いカットオフ周波数(5.3 GHz)により、高レベルのシグナル・インテグリティを達成
超低プロファイル、小フットプリント： 1.6 x 1.1 mm WLCSP4パッケージ、0.4 mmピッチ

5ラインHDMIコントロール・ラインESD保護

Thu, 15 Dec 2011 07:19:03 GMT

ESD5384 : 5ラインHDMIコントロール・ラインESD保護

12 pFキャパシタンス、最大15kVの高ESD保護
HDMI 1.3および1.4に対する理想的なライン保護
省スペースのWLCSP小フットプリント： 1.14 x 1.14 mm WLCSP9、0.4 mmピッチ

USB OTG用3ラインESD保護

Thu, 15 Dec 2011 07:18:03 GMT

ESD7383 : USB OTG用3ラインESD保護

低キャパシタンスのD+/D-ピンと IDピン、8 kV接触放電に対する ESD保護を実現
最大480 Mb/sの高速ポートによりUSB 2.0 に準拠
極小フットプリント： 0.8 x 0.8 mm WLCSP4パッケージ、0.4 mmピッチ

オン・セミコンダクター、統合LIN+LDOおよびデュアルCANトランシーバにより車内ネットワーキングを拡張

Thu, 01 Dec 2011 07:00:00 GMT

2011年12月1日 – エネルギー効率の高い電子機器のための高性能シリコン・ソリューションを提供する最先端のサプライヤーであるオン・セミコンダクター（Nasdaq: ONNN）は、自動車および産業用アプリケーションにおけるLIN (local interconnect network) およびCAN (control area network) の設計で使用するための2つの新しい集積化トランシーバ・デバイスを発表しました。NCV7425 LIN+LDOトランシーバとNVC7441デュアルCANトランシーバの両方とも、省スペースを実現した堅牢でコスト効果の高い次世代車両向け「コンビニエンス」アプリケーションやLINおよびCANベースの工業用デザインを提供します。