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2N3055: 15 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Complementary Silicon Power Transistors
Rev. 6 (70.0kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (3)
Product Overview
製品説明
The PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in high power amplifier and switching amplifier applications. The 2N3055 (NPN) and MJ2955 (PNP)are complementary devices.
特長
 
  • DC Current Gain - hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc
  • Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc
  • Excellent Safe Operating Area
  • Pb-Free Packages are Available
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
2N3055G Active
Pb-free
15 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor TO-204-2 1-07 NA Tray Foam 100 $1.008
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Arrow   (Sat Jul 11 09:07:36 MST 2015) : 2053
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
FutureElectronics   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Complementary Silicon Power Transistors
Rev. 6 (70.0kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (3)
Product Overview

Product Compliance Status Description Polarity IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) hFE Min hFE Max fT Min (MHz) PTM Max (W) Package Type
 Pb-free   Active     15 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor   NPN   15   60   20   70   2.5   115   TO-204-2 
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