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2N5302: High Power NPN Bipolar Power Transistor

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Specifications
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Datasheet: High-Power NPN Silicon Transistor
Rev. 2 (92.0kB)
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Product Overview
製品説明
The High Power Bipolar NPN Transistor is designed for use in power amplifier and switching circuits applications.
特長
 
  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
    VCE(sat)=0.75 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc
  • Pb-Free Package is Available
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
2N5302G Active
Pb-free
High Power NPN Bipolar Power Transistor TO-204-2 1-07 NA Tray Foam 100 $1.872
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 8 to 12
Arrow   (Sat Jul 11 13:59:11 MST 2015) : 168
Digikey   (2015-07-09) : <1K
Mouser   (2015-07-09) : <1K
Datasheet: High-Power NPN Silicon Transistor
Rev. 2 (92.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Polarity IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) hFE Min hFE Max fT Min (MHz) PTM Max (W) Package Type
 Pb-free   Active     High Power NPN Bipolar Power Transistor   NPN   30   60   15   60   2   200   TO-204-2 
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