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バイポーラ・トランジスタ
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汎用トランジスタ
>
2N5551
2N5551: Small Signal NPN Bipolar Transistor
Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Amplifier Transistor NPN
Rev. 5 (88.0kB)
»
材料組成を表示
»
製品変更通知 (4)
Product Overview
製品の説明
The High Voltage NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose switching applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications.
特長
Pb-Free Packages are Available
技術資料&デザイン・リソース
データシート (1)
パッケージ図 (1)
供給状況およびサンプル
製品
ステータス
Compliance
内容
パッケージ
MSL*
コンテナ
予算価格/ユニット
タイプ
ケース形状
タイプ
数量
2N5551G
Active
Pb-free
Small Signal NPN Bipolar Transistor
TO-92
29-11
Bulk Box
5000
$0.0667
在庫
2N5551RL1G
Active
Pb-free
Small Signal NPN Bipolar Transistor
TO-92
29-11
Tape and Reel
2000
$0.0667
在庫
2N5551RLRAG
Active
Pb-free
Small Signal NPN Bipolar Transistor
TO-92
29-11
Tape and Reel
2000
$0.0667
在庫
2N5551RLRPG
Active
Pb-free
Small Signal NPN Bipolar Transistor
TO-92
29-11
Fan-Fold
2000
$0.0667
2N5551ZL1G
Active
Pb-free
Small Signal NPN Bipolar Transistor
TO-92
29-11
Fan-Fold
2000
$0.0667
在庫
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
h
FE
Min
:
80
V
(BR)CEO
Min (V)
:
160
:
Pb-free
Package Type
:
TO-92
I
C
Continuous (A)
:
0.6
P
TM
Max (W)
:
0.625
Polarity
:
NPN
h
FE
Max
:
250
f
T
Min (MHz)
:
100
マーケットリードタイム(週)
:
Arrow (2013-05-23 04:47)
:
63420
Avnet (2013-05-22 00:00)
:
>10K
Digi-Key (2013-05-22 00:00)
:
>1K
Future Electronics (2013-05-22 00:00)
:
>10K
Mouser (2013-05-22 00:00)
:
>1K
Newark (2013-05-22 00:00)
:
>10K
P&S (2013-05-22 00:00)
:
>10K
WPI (2013-05-22 00:00)
:
>1K
h
FE
Min
:
80
V
(BR)CEO
Min (V)
:
160
:
Pb-free
Package Type
:
TO-92
I
C
Continuous (A)
:
0.6
P
TM
Max (W)
:
0.625
Polarity
:
NPN
h
FE
Max
:
250
f
T
Min (MHz)
:
100
マーケットリードタイム(週)
:
Digi-Key (2013-05-22 00:00)
:
>1K
Future Electronics (2013-05-22 00:00)
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>1K
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h
FE
Min
:
80
V
(BR)CEO
Min (V)
:
160
:
Pb-free
Package Type
:
TO-92
I
C
Continuous (A)
:
0.6
P
TM
Max (W)
:
0.625
Polarity
:
NPN
h
FE
Max
:
250
f
T
Min (MHz)
:
100
マーケットリードタイム(週)
:
Digi-Key (2013-05-22 00:00)
:
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:
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Newark (2013-05-22 00:00)
:
>1K
WPI (2013-05-22 00:00)
:
>1K
h
FE
Min
:
80
V
(BR)CEO
Min (V)
:
160
:
Pb-free
Package Type
:
TO-92
I
C
Continuous (A)
:
0.6
P
TM
Max (W)
:
0.625
Polarity
:
NPN
h
FE
Max
:
250
f
T
Min (MHz)
:
100
マーケットリードタイム(週)
:
h
FE
Min
:
80
V
(BR)CEO
Min (V)
:
160
:
Pb-free
Package Type
:
TO-92
I
C
Continuous (A)
:
0.6
P
TM
Max (W)
:
0.625
Polarity
:
NPN
h
FE
Max
:
250
f
T
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:
100
マーケットリードタイム(週)
:
Future Electronics (2013-05-22 00:00)
:
>10K
ON Semiconductor (2013-05-22 00:00)
:
10,000
Datasheet: Amplifier Transistor NPN
Rev. 5 (88.0kB)
»
材料組成を表示
»
製品変更通知 (4)
Product Overview
Product
Compliance
Status
Description
Polarity
I
C
Continuous (A)
V
(BR)CEO
Min (V)
h
FE
Min
h
FE
Max
f
T
Min (MHz)
P
TM
Max (W)
Package Type
2N5551G
Pb-free
Active
Small Signal NPN Bipolar Transistor
NPN
0.6
160
80
250
100
0.625
TO-92
2N5551RL1G
Pb-free
Active
Small Signal NPN Bipolar Transistor
NPN
0.6
160
80
250
100
0.625
TO-92
2N5551RLRAG
Pb-free
Active
Small Signal NPN Bipolar Transistor
NPN
0.6
160
80
250
100
0.625
TO-92
2N5551RLRPG
Pb-free
Active
Small Signal NPN Bipolar Transistor
NPN
0.6
160
80
250
100
0.625
TO-92
2N5551ZL1G
Pb-free
Active
Small Signal NPN Bipolar Transistor
NPN
0.6
160
80
250
100
0.625
TO-92
Datasheet: Amplifier Transistor NPN
Rev. 5 (88.0kB)
»
材料組成を表示
»
製品変更通知 (4)
Product Overview
ケース形状
29-11
パッケージ
Datasheet: Amplifier Transistor NPN
Rev. 5 (88.0kB)
»
材料組成を表示
»
製品変更通知 (4)
Product Overview
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