feedback
このページの評価をお願いします

サポート情報をお探しですか?


2N5884: 25 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Complementary Silicon High-Power Transistors
Rev. 11 (94.0kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (3)
Product Overview
製品説明
The Power 25A 80 V Bipolar NPN Transistor is designed for general-purpose power amplifier and switching applications.
特長
 
  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
    VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc
  • Low Leakage Current
    ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage
  • Excellent DC Current Gain
    hFE = 20 (min) at IC = 10 Adc
  • High Current Gain Bandwidth Product
    ft = 4.0 MHz (min) at IC = 1.0 Adc
  • Pb-Free Packages are Available
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
2N5884G Active
Pb-free
25 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor TO-204-2 1-07 NA Tray Foam 100 $2.0447
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Arrow   (Sat Jul 11 16:21:23 MST 2015) : 85
Chip1Stop   (2015-07-09) : <1K
Digikey   (2015-07-09) : <1K
Mouser   (2015-07-09) : <1K
Datasheet: Complementary Silicon High-Power Transistors
Rev. 11 (94.0kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (3)
Product Overview

Product Compliance Status Description Polarity IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) hFE Min hFE Max fT Min (MHz) PTM Max (W) Package Type
 Pb-free   Active     25 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor   PNP   25   80   20   100   4   200   TO-204-2 
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする