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2N5885: 25 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Complementary Silicon High-Power Transistors
Rev. 11 (94.0kB)
Product Overview
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (3)
The Power 25A 80 V Bipolar NPN Transistor is designed for general-purpose power amplifier and switching applications.
特長
 
  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
    VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc
  • Low Leakage Current
    ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage
  • Excellent DC Current Gain
    hFE = 20 (min) at IC = 10 Adc
  • High Current Gain Bandwidth Product
    ft = 4.0 MHz (min) at IC = 1.0 Adc
  • Pb-Free Packages are Available
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
2N5885G Active
Pb-free
25 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor TO-204-2 1-07 NA Tray Foam 100 $1.872
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 8 to 12
Arrow   (Fri Dec 09 20:35:10 MST 2016) : 89
Avnet   (2016-12-08) : <1K
Digikey   (2016-12-08) : <1K
Mouser   (2016-12-08) : <1K
ON Semiconductor   (2016-12-07) : 1,300
Datasheet: Complementary Silicon High-Power Transistors
Rev. 11 (94.0kB)
Product Overview
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (3)

Product Compliance Status Description Polarity Type VCE(sat) Max (V) IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) hFE Min hFE Max fT Min (MHz) PTM Max (W) Package Type
Pb-free
 Active     25 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor 
NPN
General Purpose
1
25
60
20
100
4
200
TO-204-2
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