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2N6038: 4.0 A, 60 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Rev. 15 (144kB)
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»製品変更通知 (14)
Product Overview
製品説明
The Power 4 A, 80 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
特長
 
  • High DC Current Gain -
    hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc
  • Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdc
    VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6035, 2N6038
    VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6036, 2N6039
  • Forward Biased Second Breakdown Current Capability
    IS/b = 1.5 Adc @ 25 Vdc
  • Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter
    Resistors to Limit Leakage Multiplication
  • Space-Saving High Performance-to-Cost Ratio
    TO-225AA Plastic Package
  • Pb-Free Packages are Available
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
2N6038G Active
Pb-free
Halide free
4.0 A, 60 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor TO-225-3 77-09 NA Bulk Box 500 $0.3067
2N6038 Last Shipments
4.0 A, 60 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor TO-225-3 77-09 NA Bulk Box 500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Digikey   (2016-09-29 00:00) : >1K
FutureElectronics   (2016-09-29 00:00) : <1K
Mouser   (2016-09-29 00:00) : >1K
ON Semiconductor   (2016-09-28 00:00) : 2,000
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Rev. 15 (144kB)
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»材料組成を表示
»製品変更通知 (14)
Product Overview

Product Compliance Status Description Polarity IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) VCE(sat) Max (V) hFE Min (k) hFE Max (k) fT Min (MHz) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     4.0 A, 60 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor 
NPN
4
60
2
0.75
15
25
TO-225-3
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