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2N6052: 12 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

Overview
Specifications
Datasheet: Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Rev. 5 (132.0kB)
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»製品変更通知 (3)
Product Overview
製品説明
This Bipolar Power PNP Darlington Transistor is designed for general-purpose amplifier and low frequency switching applications.
特長
 
  • High DC Current Gain
    hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc
  • Collector-Emitter Sustaining Voltage— @ 100 mA
    VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)—2N6058
    100 Vdc (Min)—2N6052, 2N6059
  • Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
  • This is a Pb-Free Device
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
2N6052G Active
Pb-free
12 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor TO-204-2 1-07 NA Tray Foam 100 $2.0879
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Arrow   (2016-06-24 17:53) : 1237
Avnet   (2016-06-23 00:00) : <1K
Digikey   (2016-06-23 00:00) : <1K
FutureElectronics   (2016-06-23 00:00) : <1K
Mouser   (2016-06-23 00:00) : <1K
Datasheet: Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Rev. 5 (132.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Polarity IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) VCE(sat) Max (V) hFE Min (k) hFE Max (k) fT Min (MHz) Package Type
Pb-free
 Active     12 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor 
PNP
12
100
2
0.75
18
4
TO-204-2
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