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2N6338: 25 A, 100 V High Power NPN Bipolar Power Transistor

Overview
Specifications
Datasheet: High-Power NPN Silicon Transistors
Rev. 12 (144.0kB)
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Product Overview
製品説明
The Power 25A 150 V Bipolar NPN Transistor is designed for use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications.
特長
 
  • High Collector-Emitter Sustaining Voltage
    VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) 2N6338
    VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) - 2N6341
  • High DC Current Gain
    hFE = 30 - 120 @ IC = 10 Adc
    hFE = 12 (Min) @ IC = 25 Adc
  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
    VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc
  • Fast Switching Times @ IC = 10 Adc
    tr = 0.3 µs (Max)
    ts = 1.0 µs (Max)
    tf = 0.25 µs (Max)
  • These devices are available in Pb-free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb-free devices. Please see our website at www.onsemi.com for specific Pb-free orderable part numbers, or contact your local ON Semiconductor sales office or representative.
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
2N6338G Active
Pb-free
25 A, 100 V High Power NPN Bipolar Power Transistor TO-204-2 1-07 NA Tray Foam 100 $7.9198
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Avnet   (2016-05-26 00:00) : <100
Mouser   (2016-05-26 00:00) : <100
ON Semiconductor   (2016-05-25 00:00) : 300
Datasheet: High-Power NPN Silicon Transistors
Rev. 12 (144.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Polarity Type VCE(sat) Max (V) IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) hFE Min hFE Max fT Min (MHz) PTM Max (W) Package Type
Pb-free
 Active     25 A, 100 V High Power NPN Bipolar Power Transistor 
NPN
General Purpose
1
25
100
30
120
40
200
TO-204-2
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