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2SJ652: P-Channel Power MOSFET, -60V, -28A, 38mΩ, TO-220F-3SG

Overview
Specifications
Datasheet: P-Channel Power MOSFET, -60V, -28A, 38mOhm, TO-220F-3SG
Rev. 1 (259kB)
Product Overview
»材料組成を表示
»製品変更通知 (3)
2SJ652は、汎用スイッチングデバイス用P-Channel Power MOSFET, -60V, -28A, 38mΩ, TO-220F-3SGである。
特長
 
  • 低オン抵抗 : RDS(on)1=28.5mΩ (typ)
  • 入力容量 : Ciss=4360pF (typ)
  • 4V 駆動
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
2SJ652 Obsolete
Pb-free
P-Channel Power MOSFET, -60V, -28A, 38mΩ, TO-220F-3SG TO-220ML 221AQ NA Bulk Bag 100  
2SJ652-1E Active
Pb-free
P-Channel Power MOSFET, -60V, -28A, 38mΩ, TO-220F-3SG TO-220 Fullpack, 3-Lead / TO-220F-3FG 221AT NA Tube 50 $0.869
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Arrow   (Tue Dec 06 14:46:49 MST 2016) : 59
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Arrow   (Tue Dec 06 14:46:49 MST 2016) : 59
Digikey   (2016-12-06) : <1K
Mouser   (2016-12-06) : >1K
Datasheet: P-Channel Power MOSFET, -60V, -28A, 38mOhm, TO-220F-3SG
Rev. 1 (259kB)
Product Overview
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»製品変更通知 (3)

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
 Active     P-Channel Power MOSFET, -60V, -28A, 38mΩ, TO-220F-3SG 
P-Channel
Single
-60
20
-2.6
-28
2
 
55.5
38
 
80
12
 
4360
470
335
TO-220 Fullpack, 3-Lead / TO-220F-3FG
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