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BD810: High Power PNP BipolarTransistor

Overview
Specifications
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Datasheet: Plastic High Power Silicon Transistor
Rev. 8 (89kB)
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Product Overview
製品説明
The High Power NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
特長
 
  • DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc
  • Pb-Free Packages are Available
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
BD810G Active
Pb-free
High Power PNP BipolarTransistor TO-220-3 221A-09 NA Tube 50 $0.5933
BD810 Last Shipments
High Power PNP BipolarTransistor TO-220-3 221A-09 NA Tube 50  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Mouser   (2015-07-09) : <1K
ON Semiconductor   (2015-07-08) : 1,100
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Plastic High Power Silicon Transistor
Rev. 8 (89kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Polarity IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) hFE Min hFE Max fT Min (MHz) PTM Max (W) Package Type
 Pb-free   Active     High Power PNP BipolarTransistor   PNP   10   80   30   -   1.5   90   TO-220-3 
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