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BDV64B: 10 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

Overview
Specifications
Datasheet: Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons
Rev. 14 (112.0kB)
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»製品変更通知 (11)
Product Overview
製品説明
The 10 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor is for use as an output devices in complementary general purpose amplifier applications. The BDV65B (NPN) and BDV64B (PNP) are complementary devices.
特長
 
  • High DC Current Gain HFE = 1000 (min.) @ 5 Adc
  • Monolithic Construction with Built-in Base Emitter Shunt Resistors
  • These devices are available in Pb-free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb-free devices. Please see our website at www.onsemi.com for specific Pb-free orderable part numbers, or contact your local ON Semiconductor sales office or representative.
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (2)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
BDV64BG Active
Pb-free
10 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor TO-247 340L NA Tube 30 $0.9173
BDV64B Last Shipments 
10 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor SOT-93-3 / TO-218-3 340D-02 NA Tube 30  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Arrow   (2016-06-25 21:35) : 17
Digikey   (2016-06-23 00:00) : <1K
Mouser   (2016-06-23 00:00) : <1K
ON Semiconductor   (2016-06-22 00:00) : 4,020
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons
Rev. 14 (112.0kB)
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»製品変更通知 (11)
Product Overview

Product Compliance Status Description Polarity IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) VCE(sat) Max (V) hFE Min (k) hFE Max (k) fT Min (MHz) Package Type
Pb-free
 Active     10 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor 
PNP
10
100
2
1
-
-
TO-247
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