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BDX53B: Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor

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Specifications
Packages
Datasheet: Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
Rev. 15 (109kB)
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Product Overview
製品説明
The 8 A, 100 V, 65 W PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose and low speed switching applications. The BDX53B, BDX53C, BDX54B and BDX54C are complementary devices.
特長
 
  • High DC Current Gain hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
  • Collector Emitter Sustaining Voltage @ 100 mAdc
    VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) BDX53B, 54B
    VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - BDX53C, 54C
  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
    VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
    VCE(sat) = 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc
  • Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
  • TO-220AB Compact Package
  • Pb-Free Packages are Available
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
BDX53BG Active
Pb-free
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor TO-220-3 221A-09 NA Tube 50 $0.4307
BDX53B Last Shipments
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor TO-220-3 221A-09 NA Tube 50  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Mouser   (2016-05-26 00:00) : <1K
ON Semiconductor   (2016-05-25 00:00) : 450
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
Rev. 15 (109kB)
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»製品変更通知 (10)
Product Overview

Product Compliance Status Description Polarity IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) VCE(sat) Max (V) hFE Min (k) hFE Max (k) fT Min (MHz) Package Type
Pb-free
 Active     Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor 
NPN
8
80
2
0.75
-
-
TO-220-3
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