BSS123

Nチャネル・ロジックレベル拡張モード電界効果トランジスタ 100V、170 mA、6Ω

Overview

このNチャネル拡張モードMOSFETは、独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この製品は、オン抵抗を最小化しながら、堅牢で信頼性の高い、高速なスイッチング性能を実現するよう設計されています。BSS123は特に、小型サーボモータ制御、パワーMOSFETゲートドライバ、その他のスイッチングアプリケーションなどの、低電圧、低電流のアプリケーションに適しています。

アプリケーション

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Small Servo Motor Control
Power MOSFET gate drivers

特長

0.17 A, 100 V
R_DS(ON) = 6 Ω @ V_GS = 10 V
R_DS(ON) = 10 Ω @ V_GS = 4.5 V
超低r_{DS (ON) 用の高密度セル設計}
堅牢で信頼性の高い
コンパクトな業界標準SOT-23表面実装型パッケージ

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

BSS123

Active

SOT-23 (TO-236)

318

260

REEL

3000

100

6000

N-Channel

Single

±20

0.17

0.36

10000

1.8

$0.0432

BSS123-F169

Last Shipments

SOT-23 (TO-236)

318

260

REEL

3000

100

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N-Channel

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±20

0.17

0.36

10000

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Nチャネル・ロジックレベル拡張モード電界効果トランジスタ 100V、170 mA、6Ω

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