feedback
このページの評価をお願いします

サポート情報をお探しですか?


EFC6602R: N-Channel Power MOSFET, 12V, 18A, 5.9mΩ, Dual EFCP

Overview
Specifications
Datasheet: N-Channel Power MOSFET, 12V, 18A, 5.9mOhm, Dual EFCP
Rev. 1 (317.0kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (1)
Product Overview
製品説明
EFC6602R is N-Channel Power MOSFET, 12V, 18A, 5.9mΩ, Dual EFCP for Lithium-ion battery charging and discharging switch Application.
特長
 
  • 2.5V drive
  • Protection diode in
  • Common-drain type
  • Halogen free compliance
  • 2KV ESD HBM
技術資料 & デザイン・リソース
データシート (1) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
EFC6602R-TR Active
Pb-free
Halide free
N-Channel Power MOSFET, 12V, 18A, 5.9mΩ, Dual EFCP WLCSP-6 567HS 1 Tape and Reel 5000 $0.28
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: N-Channel Power MOSFET, 12V, 18A, 5.9mOhm, Dual EFCP
Rev. 1 (317.0kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     N-Channel Power MOSFET, 12V, 18A, 5.9mΩ, Dual EFCP   N-Channel   Dual   12   12   1.3   18   2   11   5.9     55               WLCSP-6 
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

新製品
 

NTP8G206N  600 V, 150 mΩ, 単一Nチャネル, パワー GaN カスコードトランジスタ

  • 高速スイッチング
  • 超低 Qrr
  • 高効率

NDBA180N10B  NDPL180N10B  100 V, 180 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(2.8 mΩ)
  • 低ゲート負荷(95 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応