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EMH2801: P-Channel Power MOSFET, -20V, -3A, 85mΩ, Single EMH8 with Schottky Diode

Overview
Specifications
Datasheet: P-Channel Power MOSFET, -20V, -3A, 85mOhm, Single EMH8 with Schottky Diode
Rev. 1 (432kB)
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Product Overview
製品説明
EMH2801は、ショットキバリアダイオード内蔵、汎用スイッチングデバイス用P-Channel Power MOSFET, -20V, -3A, 85mΩ, Single EMH8である。
特長
 
  • PチャネルMOS型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを1パッケージに内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。
  • MOSFET : 低オン抵抗
  • MOSFET : 1.8V駆動
  • SBD : スイッチングノイズが小さい
  • SBD : 順電圧が低い(IF = 2.0A, VF max = 0.46V)
  • ハロゲンフリー対応
技術資料 & デザイン・リソース
データシート (1) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
EMH2801-TL-H Active
Pb-free
Halide free
P-Channel Power MOSFET, -20V, -3A, 85mΩ, Single EMH8 with Schottky Diode SOT-383FL / EMH-8 419AT 1 Tape and Reel 3000 $0.1667
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: P-Channel Power MOSFET, -20V, -3A, 85mOhm, Single EMH8 with Schottky Diode
Rev. 1 (432kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     P-Channel Power MOSFET, -20V, -3A, 85mΩ, Single EMH8 with Schottky Diode   P-Channel   with Schottky Diode   -20   10   -1.3   -3   1   137   85     4     1.1     320   66   50   SOT-383FL / EMH-8 
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