EMH2801: P-Channel Power MOSFET, -20V, -3A, 85mΩ, Single EMH8 with Schottky Diode
製品説明
EMH2801は、ショットキバリアダイオード内蔵、汎用スイッチングデバイス用P-Channel Power MOSFET, -20V, -3A, 85mΩ, Single EMH8である。
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特長 |
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PチャネルMOS型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを1パッケージに内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。
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SBD : 順電圧が低い(IF = 2.0A, VF max = 0.46V)
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新製品 |
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NDBA180N10B
NDPL180N10B
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100 V, 180 A , Nチャネル・パワーMOSFET
- 低オン抵抗(2.8 mΩ)
- 低ゲート負荷(95 nC) 及び高速スイッチング
- D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応
NTP8G202N
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600 V, 290 mΩ, 単一Nチャネル, パワーGaN カスコードトランジスタ
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