デュアル P チャネル、デジタル FET -25V、0.41A、1.1Ω

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Overview

これらのデュアル P チャネル・ロジックレベル・ エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、バイポーラ・デジタル・トランジスタおよび小信号 MOSFET の代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。

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  • -25V、-0.41A継続、-1.5A波高値
  • RDS(ON)=1.1Ω@VGS=-4.5V
  • RDS(ON)=1.5 Ω@VGS=-2.7V
  • 非常に低いレベルのゲートドライブ要件によって、3V回路 (VGS(th) <1.5 V) で直接動作が可能。
  • ゲート-ソースツェナー、ESD耐久性 (>6kV人体モデル)。
  • コンパクトな業界標準SC70-6 表面実装型パッケージ

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDG6304P

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1

260

REEL

3000

Y

-25

-

P-Channel

Dual

-8

-1.5

-0.41

0.3

Q1=Q2=1800

Q1=Q2=1100

1.8

1.1

62

$0.1655

More Details

FDG6304P-F169

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1

260

REEL

3000

N

-25

-

P-Channel

Dual

-8

-8

-0.41

0.3

1500

1100

-

-

62

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