Nチャネルシールドゲート PowerTrench® MOSFET 100V、124A、4.2mΩ

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Overview

このNチャネルMV MOSFETは、シールドゲート技術を組み込んだ高度なPowerTrench®プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗を最小限に抑えながら、ベストインクラスのソフトボディダイオードで優れたスイッチング性能を維持するように最適化されています。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • シールドゲートMOSFET技術
  • 最大rDS (on) = 4.2 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 44 A
  • 最大rDS (on) = 12 mΩ @ VGS = 6 V、ID = 22 A
  • ADD
  • 他のMOSFETメーカーより50%低いQrr
  • スイッチングノイズ/EMIを低減
  • MSL1堅牢パッケージ設計
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS 対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMS86181

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

100

4.2

N-Channel

Single

±20

4

124

125

-

-

-

27

2945

$1.0234

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