High Voltage MOSFETs | FQH8N100C

Power MOSFET、Nチャネル、QFET®、1000 V、8.0 A、1.45Ω、TO-247

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Datasheet

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Overview

このNチャネル拡張モードPower MOSFETは独自のプレーナストライプおよびDMOS技術を使用して製造されています。この高度なMOSFET技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、アクティブ力率補正（PFC）、および電子ランプバラストに適しています。

  • その他の産業用

  • 8A、1000V、RDS(on) = 1.45Ω(最大) @VGS = 10 V、ID = 4A
  • 少量のゲート電荷 (通常 53nC)
  • 低Crss (通常 16pF）
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQH8N100C

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

340CK

NA

0

TUBE

450

N

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-247

High Voltage

Standard

0

Single

0

1000

1450

±30

5

8

225

-

-

-

53

2475

23

5200

195

16

$2.5577

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FQH8N100C

Equivalent to wafer fab process: CE

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

CE

15

2535417142

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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