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FW276: N-Channel Power MOSFET, 450V, 0.7A, 12.1Ω, Dual SOIC8

Datasheet: N-Channel Power MOSFET, 450V, 0.7A, 12.1ohm, Dual SOIC8
Rev. 0 (423kB)
Product Overview
»材料組成を表示
»製品変更通知 (1)
The FW276 N-channel high voltage Dual-MOSFET product is capable of 450V breakdown and 12.1Ohm ultra low on-resistance. This new generation MOSFET features low RDS(on) and fast switching speed resulting in improved efficiency.
特長   利点
     
  • Low ON resistance
 
  • Improves efficiency by reducing conduction losses
  • Low gate charge
 
  • Ease of drive, faster turn-on
  • Fast switching
 
  • Reduces dynamic power losses
  • Halogen free compliance
 
  • Environmental consideration
アプリケーション   最終製品
  • Motor Drive
 
  • FAN Motor
技術資料 & デザイン・リソース
データシート (1) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
FW276-TL-2H Last Shipments
Pb-free
Halide free
N-Channel Power MOSFET, 450V, 0.7A, 12.1Ω, Dual SOIC8 SOIC-8 751CR 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Arrow   (Fri Dec 02 21:37:09 MST 2016) : 55
ON Semiconductor   (2016-11-30) : 20,000
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