feedback
このページの評価をお願いします

サポート情報をお探しですか?


FW389: Power MOSFET, 100V, 2A, 225mΩ, -100V, -2A, 300mΩ, Complementary Dual SOIC-8

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, 100V, 2A, 225mOhm, -100V, -2A, 300mOhm, Complementary Dual SOIC-8
Rev. 1 (1196kB)
»材料組成を表示
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
製品説明
FW389 is a Power MOSFET, 100V, 2A, 225mΩ, -100V, -2A, 300mΩ, Complementary Dual SOIC-8 for General-Purpose Switching Device Application.
特長
 
  • ON-resistance
    Nch : RDS(on)1 = 165mΩ (typ)
    Pch : RDS(on)1 = 230mΩ (typ)
  • Input Capacitance
    Nch : Ciss = 490pF (typ)
    Pch : Ciss = 1000pF (typ)
  • 4V drive
  • Halogen free compliance
  • Protection diode in
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (1) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
FW389-TL-2W Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET, 100V, 2A, 225mΩ, -100V, -2A, 300mΩ, Complementary Dual SOIC-8 SOIC-8 751CR 1 Tape and Reel 2500 $0.285
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 100V, 2A, 225mOhm, -100V, -2A, 300mOhm, Complementary Dual SOIC-8
Rev. 1 (1196kB)
»材料組成を表示
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET, 100V, 2A, 225mΩ, -100V, -2A, 300mΩ, Complementary Dual SOIC-8   Complementary   Dual   100   20   2.6   2   1.8     254   225     10   2.1     490   34   13   SOIC-8 
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

新製品
 

NTP8G206N  600 V, 150 mΩ, 単一Nチャネル, パワー GaN カスコードトランジスタ

  • 高速スイッチング
  • 超低 Qrr
  • 高効率

NDBA100N10B  NDPL100N10B  100 V, 100 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(6.9 mΩ)
  • 低ゲート負荷(35 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応