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MLP2N06CL: 62 V, 2.0 A Power MOSFET, Logic Level

Datasheet: MOSFET 2 Amps, 62 Volts, Logic Level
Rev. 2 (80.0kB)
Product Overview
»材料組成を表示
»製品変更通知 (7)
This logic level power MOSFET features current limiting for short circuit protection, integrated Gate-Source clamping for ESD protection and integral Gate-Drain clamping for over-voltage protection and technology for low on-resistance. No additional gate series resistance is required when interfacing to the output of a MCU, but a 40 kΩ gate pulldown resistor is recommended to avoid a floating gate condition.

The internal Gate-Source and Gate-Drain clamps allow the device to be applied without use of external transient suppression components. The Gate-Source clamp protects the MOSFET input from electrostatic voltage stress up to 2.0 kV. The Gate-Drain clamp protects the MOSFET drain from the avalanche stress that occurs with inductive loads. Their unique design provides voltage clamping that is essentially independent of operating temperature.
技術資料 & デザイン・リソース
データシート (1) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
MLP2N06CLG Last Shipments
Pb-free
62 V, 2.0 A Power MOSFET, Logic Level TO-220-3 221A-09 NA Tube 50  
MLP2N06CL Last Shipments
62 V, 2.0 A Power MOSFET, Logic Level TO-220-3 221A-09 NA Tube 50  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
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