feedback
このページの評価をお願いします

サポート情報をお探しですか?


MMFT960: Small Signal MOSFET 60V 300mA 1.7 Ohm Single N-Channel SOT-223

Datasheet: Power MOSFET 300 mA, 60 Volts
Rev. 5 (58.0kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (5)
Product Overview
製品説明
This Power MOSFET is designed for high speed, low loss power switching applications such as switching regulators, dc-dc converters, solenoid and relay drivers. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface mount applications.
特長
 
  • Silicon Gate for Fast Switching Speeds
  • Low Drive Requirement
  • The SOT-223 Package can be soldered using wave or reflow. The formed leads absorb thermal stress during soldering eliminating the possibility of damage to the die.
  • Pb-Free Package is Available
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
MMFT960T1G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Small Signal MOSFET 60V 300mA 1.7 Ohm Single N-Channel SOT-223 SOT-223-4 / TO-261-4 318E-04 1 Tape and Reel 1000  
MMFT960T1 Last Shipments
Small Signal MOSFET 60V 300mA 1.7 Ohm Single N-Channel SOT-223 SOT-223-4 / TO-261-4 318E-04 1 Tape and Reel 1000  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
ON Semiconductor   (2016-09-28 00:00) : 8,000
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

新製品
 

NVATS5A106PLZ  NVATS5A112PLZ  NVATS5A113PLZ  NVATS5A304PLZ  車載用PチャネルパワーMOSFETs, -40 V ~ -60 V

  • 最小6.5 mΩの低オン抵抗
  • -120 A の高電流対応
  • 過電圧動作への対応として100%アバランシェテスト実施

EFC3C001NUZ  デュアルNチャネル,パワーMOSFET, 20 V, 6 A

  • 1, 2 セルバッテリ保護に最適な2.5 V 駆動および共通ドレイン
  • ESD 保護ダイオードによりゲートを保護
  • オン状態時の抵抗30mΩの特性によりバッテリ消費低減を実現