Low/Medium Voltage MOSFETs | MTB30P06V

Power MOSFET -60V、-30A、80 mOhm、シングル P チャネル、D2PAK

Obsolete

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Overview

この Power MOSFET は、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーに対応できるように設計されています。電源、コンバータ、モータ制御での低電圧、高速スイッチングアプリケーション向けに設計されています。これらのデバイスは、ダイオード速度と安全な動作領域の整流が重要であり、予期しない電圧過渡に対し追加の安全マージンを備えるブリッジ回路に特に適しています。

  • Avalanche Energy Specified
  • IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
  • Pb-Free Packages are Available

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

MTB30P06VT4G

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

418B-04

1

260

REEL

800

No

P-Channel

PowerTrench® T1

NA

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

60

80

15

4

30

125

-

-

-

54

1562

-

965

524

124

Price N/A

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1

260

REEL

800

No

P-Channel

PowerTrench® T1

NA

Low-Medium Voltage

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Single

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80

15

4

30

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