パワー MOSFET -30V -50A 25 mOhm シングル P チャネル D2PAK ロジックレベル

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Overview

このパワー MOSFET は、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーに対応できるように設計されています。また、エネルギー効率の良い設計によりドレイン・ソース・ダイオードの回復時間が速くなります。電源、コンバータ、PWM モータ制御での低電圧、高速スイッチング・アプリケーション向けに設計されています。これらのデバイスは、ダイオード速度と安全な動作領域の整流が重要であり、予期しない電圧過渡に対し追加の安全マージンを備えるブリッジ回路に特に適しています。

  • Avalanche Energy Specified
  • Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
  • Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
  • IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
  • Short Heatsink Tab Manufactured Not Sheared
  • Specially Designed Leadframe for Maximum Power Dissipation
  • Pb-Free Packages are Available

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

MTB50P03HDLT4G

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Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

260

REEL

800

No

P-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK-2

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

30

-

15

2

50

125

-

25

74

-

3500

-

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1500

550

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