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MTD6N15: Power MOSFET 150V 6A 300 mOhm Single N-Channel DPAK

Datasheet: Power MOSFET 150 V, 6 A, Single N-Channel DPAK
Rev. 5 (119.0kB)
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»製品変更通知 (10)
Product Overview
製品説明
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

This Power FET is designed for high speed, low loss power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.
特長
 
  • Silicon Gate for Fast Switching Speeds
  • Low RDS(on) 0.3 W Max
  • Rugged SOA is Power Dissipation Limited
  • Source-to-Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads
  • Low Drive Requirement VGS(th) = 4.0 V Max
  • Surface Mount Package on 16 mm Tape
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
MTD6N15T4G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 150V 6A 300 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500  
MTD6N15T4 Last Shipments 
Power MOSFET 150V 6A 300 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Arrow   (2016-07-29 21:12) : 1170
Digikey   (2016-07-28 00:00) : <1K
Mouser   (2016-07-28 00:00) : <1K
ON Semiconductor   (2016-07-27 00:00) : 2,500
PandS   (2016-07-28 00:00) : >10K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
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新製品
 

NVC3S5A51PLZ  Power MOSFET, -60 V, -1.8 A, P-Channel

  • Low on-resistance of 250 mΩ to minimize conduction losses
  • Small package to minimize the board space
  • High ESD protection with embedded protection diode

NVATS5A106PLZ  NVATS5A112PLZ  NVATS5A113PLZ  NVATS5A304PLZ  P-Ch Power MOSFETs for Automotive, -40 V to -60 V

  • Low on-resistance as low as 6.5 mΩ
  • High current capability of -120 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures