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MTD6N15: Power MOSFET 150V 6A 300 mOhm Single N-Channel DPAK

Datasheet: Power MOSFET 150 V, 6 A, Single N-Channel DPAK
Rev. 5 (119.0kB)
Product Overview
»材料組成を表示
»製品変更通知 (10)
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

This Power FET is designed for high speed, low loss power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.
特長
 
  • Silicon Gate for Fast Switching Speeds
  • Low RDS(on) 0.3 W Max
  • Rugged SOA is Power Dissipation Limited
  • Source-to-Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads
  • Low Drive Requirement VGS(th) = 4.0 V Max
  • Surface Mount Package on 16 mm Tape
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
MTD6N15T4G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 150V 6A 300 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500  
MTD6N15T4 Last Shipments 
Power MOSFET 150V 6A 300 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Digikey   (2016-12-07) : <1K
Mouser   (2016-12-07) : <100
PandS   (2016-12-07) : >10K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
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