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MTD6N20E: Power MOSFET 200V 6A 700 mOhm Single N-Channel DPAK

Datasheet: Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts
Rev. 6 (128.0kB)
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»製品変更通知 (11)
Product Overview
製品説明
This advanced Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.
特長
 
  • Avalanche Energy Specified
  • Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
  • Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
  • IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
  • Pb-Free Packages are Available
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (3) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
MTD6N20ET4G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 200V 6A 700 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500  
MTD6N20ET4 Last Shipments 
Power MOSFET 200V 6A 700 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
ON Semiconductor   (2016-06-22 00:00) : 1,640
PandS   (2016-06-23 00:00) : <1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
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