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MOSFETs
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NDDP010N25AZ
NDDP010N25AZ: Power MOSFET, 250 V, 10 A, 420 mΩ, Single N-Channel
Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, 250V, 10A, 420mOhm, N-Channel
Rev. 2 (383kB)
»
材料組成を表示
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
製品説明
This N-Channel Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This devices is suitable for applications with low gate charge driving requirements.
特長
利点
High Speed Switching
Reduces dynamic power losses
ESD Diode-Protected Gate
ESD resistance
Low Gate Charge
Ease of drive, faster turn-on
100% Avalanche Tested
Voltage overstress safeguard
Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance
Environment friendliness
アプリケーション
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Motor Drive
Primary Side Switch
Secondary Side Synchronous Rectification
Multi-Cells Battery Pack (ESS, E-Bike, P-Tool)
Other Motor
Power Supply
技術資料 & デザイン・リソース
データシート (1)
パッケージ図 (2)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NDDP010N25AZ-1H
Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET, 250 V, 10 A, 420 mΩ, Single N-Channel
IPAK / TP
369AJ
NA
Bulk Bag
500
$0.288
Buy Now
サンプル
在庫
NDDP010N25AZT4H
Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET, 250 V, 10 A, 420 mΩ, Single N-Channel
DPAK / TP-FA
369AH
1
Tape and Reel
700
$0.2688
Buy Now
サンプル
在庫
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週)
:
2 to 4
Digikey (2015-07-09)
:
<1K
Mouser (2015-07-09)
:
<1K
マーケットリードタイム(週)
:
2 to 4
Mouser (2015-07-09)
:
>1K
Datasheet: Power MOSFET, 250V, 10A, 420mOhm, N-Channel
Rev. 2 (383kB)
»
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»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Product
Compliance
Status
Description
Channel Polarity
Configuration
V
(BR)DSS
Min (V)
V
GS
Max (V)
V
GS(th)
Max (V)
I
D
Max (A)
P
D
Max (W)
r
DS(on)
Max @ V
GS
= 2.5 V (mΩ)
r
DS(on)
Max @ V
GS
= 4.5 V (mΩ)
r
DS(on)
Max @ V
GS
= 10 V (mΩ)
Q
g
Typ @ V
GS
= 4.5 V (nC)
Q
g
Typ @ V
GS
= 10 V (nC)
Q
gd
Typ @ V
GS
= 4.5 V (nC)
Q
rr
Typ (nC)
C
iss
Typ (pF)
C
oss
Typ (pF)
C
rss
Typ (pF)
Package Type
NDDP010N25AZ-1H
Pb-free
Halide free
Active
Power MOSFET, 250 V, 10 A, 420 mΩ, Single N-Channel
N-Channel
Single
250
30
4.5
10
52
420
16
540
980
80
25
IPAK / TP
NDDP010N25AZT4H
Pb-free
Halide free
Active
Power MOSFET, 250 V, 10 A, 420 mΩ, Single N-Channel
N-Channel
Single
250
30
4.5
10
52
420
16
540
980
80
25
DPAK / TP-FA
Datasheet: Power MOSFET, 250V, 10A, 420mOhm, N-Channel
Rev. 2 (383kB)
»
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»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Case Outline
369AJ
369AH
Datasheet: Power MOSFET, 250V, 10A, 420mOhm, N-Channel
Rev. 2 (383kB)
»
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»No Product Change Notifications exist
Product Overview
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KAI-2020
NTMS4937N
KLI-2104
LV8105W
LV8104V
LV8112VB
STK672-543-E
STK672-640CN-E
STK672-630CN-E
LV8111VB
STK672-533-E
STK672-432BN-E
LV8774Q
STK672-640AN-E
STK672-740AN-E
STK672-632AN-E
STK672-532
STK672-540
STK672-442AN-E
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NTP8G202N
:
600 V, 290 mΩ, 単一Nチャネル, パワーGaN カスコードトランジスタ
高速スイッチング
超低 Qrr
高効率
NTP8G206N
:
600 V, 150 mΩ, 単一Nチャネル, パワー GaN カスコードトランジスタ
高速スイッチング
超低 Qrr
高効率
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