NDF10N60Z: Power MOSFET 600V 10A 0.75 Ù Single N-Channel TO-220FP

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Specifications
Datasheet: Power MOSFET, N-Channel, 600 V, 0.75 Ω
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製品の説明
Power MOSFET 600V 0.750 Ohm Single N-Channel
特長   利点
     
  • Low ON Resistance
 
  • Improves efficiency
  • Low Gate Charge
 
  • Faster turn-on
  • Fast switching
 
  • Reduces dynamic power losses
  • ESD diode-protected gate
 
  • ESD resistance
  • 100% Avalanche Tested
   
  • This Device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant
   
  • 100% Rg Tested
   
アプリケーション   最終製品
  • Adapter (Notebook, Printer, Gaming)
  • ATX Power Supplies
  • Lighting Ballasts
  • LCD Panel Power
 
  • SMPS
  • Lighting Ballast
技術資料&デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (2)
データシート (1)  
供給状況およびサンプル
製品
ステータス
Compliance
内容
パッケージ
MSL*
コンテナ
予算価格/ユニット
タイプ
ケース形状
タイプ
数量
NDF10N60ZG Active, Not Rec
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 600V 10A 0.75 Ù Single N-Channel TO-220FP TO-220 FULLPAK-3 221D-03 NA Tube 50 $0.5667
NDF10N60ZH Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 600V 10A 0.75 Ù Single N-Channel TO-220FP, Optimized TO-220 FULLPAK-3 221AH Tube 50 $0.5667
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) :
Chip1Stop   (2014-04-18 00:00) : <1K
Digi-Key   (2014-04-18 00:00) : <1K
Mouser   (2014-04-18 00:00) : <1K
P&S   (2014-04-18 00:00) : <100
マーケットリードタイム(週) :
Mouser   (2014-04-18 00:00) : <1K
Datasheet: Power MOSFET, N-Channel, 600 V, 0.75 Ω
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 600V 10A 0.75 Ù Single N-Channel TO-220FP, Optimized   N Channel   Single   600   30   4.5   10   39           47   26   3   1373   150   35   TO-220 FULLPAK-3 
Datasheet: Power MOSFET, N-Channel, 600 V, 0.75 Ω
Rev. 12 (114.0kB)
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ケース形状
221AH    221D-03   
Datasheet: Power MOSFET, N-Channel, 600 V, 0.75 Ω
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  • コ低RDS(on)でンダクションロスを最小限に抑制
  • 低キャパシタンスとゲートチャージの最適化によりドライバとスイッチングの損失を最小限に抑制
  • AEC-Q101認定、PPAP対応可

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