IGBT 650V 30A FS2 誘導加熱

Favorite

Overview

この絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ (IGBT) は堅牢で費用効率が高いフィールドストップ (FS) トレンチ構造が特長であり、要求の厳しいスイッチング・アプリケーションで優れた性能を発揮し、低オン抵抗電圧も最小スイッチング損失も実現します。この IGBT はハーフブリッジ共振アプリケーションに最適です。低フォワード電圧のソフトで高速な共パッケージ型フリーホイール・ダイオードが内蔵されています。

  • Inductive Heating
  • Soft Switching
  • Extremely Efficient Trench with Fieldstop Technology
  • Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation
  • Optimized for Low Losses in IH Cooker Application
  • TJmax = 175°C
  • Soft, Fast Free Wheeling Diode

Product List

If you wish to buy products or product samples, please log in to your onsemi account.

検索

Close Search

製品:

1

共有

Product Groups:

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

NGTB30N65IHL2WG

Loading...

Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

30

N

-

650

30

1.7

1.1

0.2

-

430

35

135

-

-

219

Yes

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :