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NID6002N: Self-Protected MOSFET 65 V, 11 A, 210 mΩ Single N-Channel with Temperature and Current Limit

Datasheet: Self-Protected FET with Temperature and Current Limit 65 V, 6.5 A, Single N-Channel, DPAK
Rev. 5 (68.0kB)
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»製品変更通知 (6)
Product Overview
製品説明
NID6002N is part of an advanced series of power MOSFETs which utilize ON Semiconductor's latest smart MOSFET technology process. Integrated thermal and current limits work together to provide short circuit protection. The devices feature an integrated Drain−to−Gate Clamp that enables them to withstand high energy in the avalanche mode. The Clamp also provides additional safety margin against unexpected voltage transients. Electrostatic Discharge (ESD) protection is provided by an integrated Gate−to−Source Clamp.
特長
 
  • Short circuit protection
  • Over-temperature protection with automatic restart
  • Gate-Drain clamp
アプリケーション
  • General use Automotive Driver
技術資料 & デザイン・リソース
アプリケーション ノート (1) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NID6002NT4G Consult Sales Office
Pb-free
Halide free
Self-Protected MOSFET 65 V, 11 A, 210 mΩ Single N-Channel with Temperature and Current Limit DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500  
NID6002NT4 Last Shipments
Self-Protected MOSFET 65 V, 11 A, 210 mΩ Single N-Channel with Temperature and Current Limit DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Arrow   (2016-09-30 09:52) : 598
Chip1Stop   (2016-09-29 00:00) : >1K
PandS   (2016-09-29 00:00) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
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