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NST3904DP6: Dual NPN Bipolar Transistor

Overview
Specifications
Datasheet: Dual NPN General Purpose Transistor
Rev. 1 (53kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (1)
Product Overview
製品説明
The Dual NPN Bipolar Transistor device is a spin off of our popular SOT23, SOT323, SOT563 three leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT963 six leaded surface mount package. With two discrete devices in one package, this device is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.
特長
 
  • hFE, 100-300
  • Low VCE(sat), <0.4 V
  • Simplifies Circuit Design
  • Reduces Board Space
  • Reduces Component Count
  • This is a Pb-Free Device
アプリケーション
  • NPN General Purpose Switching Transistor
技術資料 & デザイン・リソース
データシート (1) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NST3904DP6T5G Active
AEC Qualified
Pb-free
Halide free
Dual NPN Bipolar Transistor SOT-963 527AD 1 Tape and Reel 8000 $0.064
NSVT3904DP6T5G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Dual NPN Bipolar Transistor SOT-963 527AD 1 Tape and Reel 8000 $0.1027
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Avnet   (2016-06-28 00:00) : >10K
Digikey   (2016-06-28 00:00) : >1K
Mouser   (2016-06-28 00:00) : >10K
ON Semiconductor   (2016-06-25 00:00) : 416,000
PandS   (2016-06-28 00:00) : >1K
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
ON Semiconductor   (2016-06-25 00:00) : 256,000
Datasheet: Dual NPN General Purpose Transistor
Rev. 1 (53kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Polarity Type VCE(sat) Max (V) IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) hFE Min hFE Max fT Min (MHz) PTM Max (W) Package Type
AEC Qualified
Pb-free
Halide free
 Active     Dual NPN Bipolar Transistor 
Dual NPN
   
0.2
40
100
300
200
0.42
SOT-963
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
 Active     Dual NPN Bipolar Transistor 
Dual NPN
   
0.2
40
100
300
200
0.42
SOT-963
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