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NSS40300: Low VCE(sat) Transistor, PNP, 40 V, 3.0 A

Overview
Specifications
Datasheet: Low VCE(sat) Transistor, PNP, 40 V, 3.0 A
Rev. 3 (93.0kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (2)
Product Overview
製品説明
The combination of low saturation voltage and high gain makes this Bipolar Power Transistor an ideal device for high speed switching applications where power saving is a concern.
特長   利点
     
  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
 
  • Minimized power loss
  • High DC Current Gain
 
  • Very low current requirements
  • High Current-Gain Bandwidth Product
 
  • Ideal for high frequency designs
  • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable
   
  • These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
   
アプリケーション   最終製品
  • Voltage regulation
  • Power management for portable devices
  • Switching regulator
  • Inductive load driver
 
  • Battery chargers
  • Portable devices
  • Computing products
技術資料 & デザイン・リソース
チュートリアル (1) シミュレーション・モデル (4)
アプリケーション ノート (1) データシート (1)
ホワイト・ペーパ (1) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NSS40300MZ4T1G Active
AEC Qualified
Pb-free
Halide free
Low VCE(sat) Transistor, PNP, 40 V, 3.0 A SOT-223-4 / TO-261-4 318E-04 1 Tape and Reel 1000 $0.1867
NSS40300MZ4T3G Active
AEC Qualified
Pb-free
Halide free
Low VCE(sat) Transistor, PNP, 40 V, 3.0 A SOT-223-4 / TO-261-4 318E-04 1 Tape and Reel 4000 $0.1867
NSV40300MZ4T1G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Low VCE(sat) Transistor, PNP, 40 V, 3.0 A SOT-223-4 / TO-261-4 318E-04 1 Tape and Reel 1000 $0.2053
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : <1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : <1K
PandS   (2015-07-09) : <1K
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Mouser   (2015-07-09) : >1K
ON Semiconductor   (2015-07-08) : 32,000
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
ON Semiconductor   (2015-07-08) : 11,000
Datasheet: Low VCE(sat) Transistor, PNP, 40 V, 3.0 A
Rev. 3 (93.0kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (2)
Product Overview

Product Compliance Status Description Polarity IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) VCE(sat) Max (V) hFE Min hFE Max fT Min (MHz) PTM Max (W) Package Type
 AEC Qualified 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Low VCE(sat) Transistor, PNP, 40 V, 3.0 A   PNP   3   40   0.4   175   350   100   2   SOT-223-4 / TO-261-4 
 AEC Qualified 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Low VCE(sat) Transistor, PNP, 40 V, 3.0 A   PNP   3   40   0.4   175   350   100   2   SOT-223-4 / TO-261-4 
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Low VCE(sat) Transistor, PNP, 40 V, 3.0 A   PNP   3   40   0.4   175   350   -   2   SOT-223-4 / TO-261-4 
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