Low/Medium Voltage MOSFETs | NTB25P06

シングル P チャネル・パワー MOSFET -60V、-27.5A、82 mΩ

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このパワー MOSFET は、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーに対応できるように設計されています。電源、コンバータ、モータ制御での低電圧、高速スイッチング・アプリケーション向けに設計されています。これらのデバイスは、ダイオード速度と安全な動作領域の整流が重要であり、予期しない電圧過渡に対し追加の安全マージンを備えるブリッジ回路に特に適しています。

  • PWM Motor Controls
  • Power Supplies
  • Converters
  • Bridge Circuits
  • RoHS Compliant

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

NTB25P06T4G

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CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

418B-04

1

260

REEL

800

Yes

P-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

-60

82

15

4

-27.5

120

-

-

-

33

1200

-

200

345

90

$1.0162

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: NTB25P06T4G

Equivalent to wafer fab process: TMOS 7

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TMOS 7

0

3196308988

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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