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NTB45N06: Power MOSFET 60V 45A 26 mOhm Single N-Channel D2PAK

Overview
Specifications
Datasheet: 60 V, 45 A, 26 mOhm N-channel D2PAK Power MOSFET
Rev. 1 (142.0kB)
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»製品変更通知 (9)
Product Overview
製品説明
60 V, 45 A, 26 mOhm N-channel D2PAK Power MOSFET
特長   利点
     
  • Low RDS(on)
 
  • Low conduction losses
  • High current capability, low thermal resistance
 
  • High power capability, cool running
  • AEC-Q101 qualified
 
  • Suitable for automotive systems
アプリケーション   最終製品
  • Motor contorl
  • Low Side switch
 
  • Automotive modules
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTB45N06G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 60V 45A 26 mOhm Single N-Channel D2PAK D2PAK-3 418B-04 1 Tube 50  
NTB45N06T4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 60V 45A 26 mOhm Single N-Channel D2PAK D2PAK-3 418B-04 1 Tape and Reel 800 $0.7624
NTB45N06T4 Last Shipments 
Power MOSFET 60V 45A 26 mOhm Single N-Channel D2PAK D2PAK-3 418B-04 1 Tape and Reel 800  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Digikey   (2016-09-27 00:00) : >1K
Mouser   (2016-09-27 00:00) : <1K
PandS   (2016-09-27 00:00) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: 60 V, 45 A, 26 mOhm N-channel D2PAK Power MOSFET
Rev. 1 (142.0kB)
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»材料組成を表示
»製品変更通知 (9)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 60V 45A 26 mOhm Single N-Channel D2PAK 
N-Channel
Single
60
20
4
45
125
   
26
 
33
 
87
1224
345
76
D2PAK-3
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EFC3C001NUZ  Power MOSFET, Dual N-Channel, 20 V, 6 A

  • 2.5 V drive and common drain suitable for 1-2 cell lithium-ion battery protection
  • ESD Diode-Protected Gate
  • 30 mΩ on-state resistance reduces battery consumption

NVATS5A106PLZ  NVATS5A112PLZ  NVATS5A113PLZ  NVATS5A304PLZ  P-Ch Power MOSFETs for Automotive, -40 V to -60 V

  • Low on-resistance as low as 6.5 mΩ
  • High current capability of -120 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures