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NTD12N10: Power MOSFET, 12 A, 100 V

Datasheet: Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts
Rev. 8 (158.0kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (5)
Product Overview
製品説明
NTD12N10
特長
 
  • Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode.
  • Avalanche Energy Specified
  • IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature
  • Mounting Information Provided for the DPAK Package
  • Pb-Free Packages are Available
アプリケーション
  • PWM Motor Controls
  • Power Supplies
  • Converters
技術資料 & デザイン・リソース
アプリケーション ノート (1) パッケージ図 (2)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD12N10-1G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET, 12 A, 100 V IPAK-4 369D 1 Tube 75  
NTD12N10G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET, 12 A, 100 V DPAK-3 369C 1 Tube 75  
NTD12N10T4G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET, 12 A, 100 V DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Arrow   (2016-09-27 15:16) : 107500
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EFC3C001NUZ  Power MOSFET, Dual N-Channel, 20 V, 6 A

  • 2.5 V drive and common drain suitable for 1-2 cell lithium-ion battery protection
  • ESD Diode-Protected Gate
  • 30 mΩ on-state resistance reduces battery consumption

NVATS5A106PLZ  NVATS5A112PLZ  NVATS5A113PLZ  NVATS5A304PLZ  P-Ch Power MOSFETs for Automotive, -40 V to -60 V

  • Low on-resistance as low as 6.5 mΩ
  • High current capability of -120 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures