feedback
このページの評価をお願いします

サポート情報をお探しですか?


NTD12N10: Power MOSFET, 12 A, 100 V

Datasheet: Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts
Rev. 8 (158.0kB)
Product Overview
»材料組成を表示
»製品変更通知 (5)
NTD12N10
特長
 
  • Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode.
  • Avalanche Energy Specified
  • IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature
  • Mounting Information Provided for the DPAK Package
  • Pb-Free Packages are Available
アプリケーション
  • PWM Motor Controls
  • Power Supplies
  • Converters
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD12N10-1G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET, 12 A, 100 V IPAK-4 369D 1 Tube 75  
NTD12N10G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET, 12 A, 100 V DPAK-3 369C 1 Tube 75  
NTD12N10T4G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET, 12 A, 100 V DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

新製品

NVATS5A106PLZ  NVATS5A112PLZ  NVATS5A113PLZ  NVATS5A304PLZ  車載用PチャネルパワーMOSFETs, -40 V ~ -60 V

  • 最小6.5 mΩの低オン抵抗
  • -120 A の高電流対応
  • 過電圧動作への対応として100%アバランシェテスト実施

EFC3C001NUZ  デュアルNチャネル,パワーMOSFET, 20 V, 6 A

  • 1, 2 セルバッテリ保護に最適な2.5 V 駆動および共通ドレイン
  • ESD 保護ダイオードによりゲートを保護
  • オン状態時の抵抗30mΩの特性によりバッテリ消費低減を実現