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NTD20N06: Power MOSFET 60V 20A 46 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 20 A, 60 V, N-Channel DPAK
Rev. 9 (115kB)
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»製品変更通知 (8)
Product Overview
製品説明
Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.
特長
 
  • Lower RDS(on)
  • Lower VDS(on)
  • Lower Capacitances
  • Lower Total Gate Charge
  • Lower and Tighter VSD
  • Lower Diode Reverse Recovery Time
  • Lower Reverse Recovery Stored Charge
  • Pb-Free Packages are Available
アプリケーション
  • Power Supplies
  • Converters
  • Power Motor Controls
  • Bridge Circuits
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD20N06G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 60V 20A 46 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369C 1 Tube 75  
NTD20N06T4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 60V 20A 46 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500 $0.4089
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : 8 to 12
Arrow   (2016-09-28 22:00) : 386
Avnet   (2016-09-28 00:00) : >1K
Chip1Stop   (2016-09-28 00:00) : >1K
Digikey   (2016-09-28 00:00) : <1K
Mouser   (2016-09-28 00:00) : >1K
PandS   (2016-09-28 00:00) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 20 A, 60 V, N-Channel DPAK
Rev. 9 (115kB)
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»製品変更通知 (8)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 60V 20A 46 mOhm Single N-Channel DPAK 
N-Channel
Single
60
20
4
20
60
   
46
 
21.2
 
84
725
213
58
DPAK-3
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EFC3C001NUZ  Power MOSFET, Dual N-Channel, 20 V, 6 A

  • 2.5 V drive and common drain suitable for 1-2 cell lithium-ion battery protection
  • ESD Diode-Protected Gate
  • 30 mΩ on-state resistance reduces battery consumption

NVATS5A106PLZ  NVATS5A112PLZ  NVATS5A113PLZ  NVATS5A304PLZ  P-Ch Power MOSFETs for Automotive, -40 V to -60 V

  • Low on-resistance as low as 6.5 mΩ
  • High current capability of -120 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures