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NTD20N06: Power MOSFET 60V 20A 46 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 20 A, 60 V, N-Channel DPAK
Rev. 9 (115kB)
Product Overview
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (8)
Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.
特長
 
  • Lower RDS(on)
  • Lower VDS(on)
  • Lower Capacitances
  • Lower Total Gate Charge
  • Lower and Tighter VSD
  • Lower Diode Reverse Recovery Time
  • Lower Reverse Recovery Stored Charge
  • Pb-Free Packages are Available
アプリケーション
  • Power Supplies
  • Converters
  • Power Motor Controls
  • Bridge Circuits
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD20N06G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 60V 20A 46 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369C 1 Tube 75  
NTD20N06T4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 60V 20A 46 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500 $0.4089
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Arrow   (Thu Dec 08 17:01:34 MST 2016) : 336
Avnet   (2016-12-08) : >1K
Chip1Stop   (2016-12-08) : >1K
Digikey   (2016-12-08) : <1K
Mouser   (2016-12-08) : >1K
PandS   (2016-12-08) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 20 A, 60 V, N-Channel DPAK
Rev. 9 (115kB)
Product Overview
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (8)

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 60V 20A 46 mOhm Single N-Channel DPAK 
N-Channel
Single
60
20
4
20
60
   
46
 
21.2
 
84
725
213
58
DPAK-3
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