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NTD2955: Power MOSFET -60V -12A 180 mOhm Single P-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, -60 V, -12 A, P-Channel DPAK
Rev. 15 (82kB)
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»製品変更通知 (9)
Product Overview
製品説明
This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the Avalanche and Commutation Modes. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters, and power motor controls. These devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer an additional safety margin against unexpected voltage transients.
特長
 
  • Avalanche Energy Specified
  • IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
  • Designed for Low Voltage, High Speed Switching Applications and to Withstand High Energy in the Avalanche and Commutation Modes
  • Pb-Free Packages are Available
アプリケーション
  • Low Voltage and High Speed Switching Applications in power supplies, converters, and power motor controls.
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (2)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD2955-1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -60V -12A 180 mOhm Single P-Channel DPAK IPAK-4 369D 1 Tube 75 $0.2533
NTD2955G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -60V -12A 180 mOhm Single P-Channel DPAK DPAK-3 369C 1 Tube 75  
NTD2955T4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -60V -12A 180 mOhm Single P-Channel DPAK DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500 $0.2533
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Arrow   (2016-09-23 19:16) : 94
Avnet   (2016-09-22 00:00) : >1K
Digikey   (2016-09-22 00:00) : <1K
Mouser   (2016-09-22 00:00) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Avnet   (2016-09-22 00:00) : >10K
ON Semiconductor   (2016-09-21 00:00) : 12,450
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Arrow   (2016-09-23 19:16) : 236
Chip1Stop   (2016-09-22 00:00) : >1K
Mouser   (2016-09-22 00:00) : <100
PandS   (2016-09-22 00:00) : >10K
Datasheet: Power MOSFET, -60 V, -12 A, P-Channel DPAK
Rev. 15 (82kB)
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»材料組成を表示
»製品変更通知 (9)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET -60V -12A 180 mOhm Single P-Channel DPAK 
P-Channel
Single
60
20
4
12
55
   
180
 
15
7
100
500
150
50
IPAK-4
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET -60V -12A 180 mOhm Single P-Channel DPAK 
P-Channel
Single
60
20
4
12
55
   
180
 
15
7
100
500
150
50
DPAK-3
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  • Low on-resistance as low as 6.5 mΩ
  • High current capability of -120 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures

NVC3S5A51PLZ  -60 V, -1.8 A, Pチャネル型パワーMOSFET

  • 250 mΩの低オン抵抗により導通損失を低減
  • 小型パッケージで基板スペース削減に貢献
  • 保護ダイオードによる高度なESD保護