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NTD4302: Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 68 A, 30 V, N-Channel DPAK/IPAK
Rev. 9 (114kB)
Product Overview
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (22)
NTD4302
特長
 
  • Ultra Low RDS(on)
  • Higher Efficiency Extending Battery Life
  • Logic Level Gate Drive
  • Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery
  • Avalanche Energy Specified
  • IDSS Specified at Elevated Temperature
  • DPAK Mounting Information Provided
  • Pb-Free Packages are Available
アプリケーション
  • DC-DC Converters
  • Low Voltage Motor Control
  • Power Management in Portable and Battery Powered Products:
    i.e., Computers, Printers, Cellular and Cordless Telephones, and
    PCMCIA Cards
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD4302 Obsolete
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tube 75  
NTD4302-1G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D NA Tube 75  
NTD4302G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tube 75  
NTD4302T4 Obsolete
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500  
NTD4302T4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.4267
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Arrow   (Tue Jan 17 16:33:03 MST 2017) : 105
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Arrow   (Tue Jan 17 16:33:03 MST 2017) : 105
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Arrow   (Tue Jan 17 16:33:03 MST 2017) : 105
Digikey   (2017-01-17) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 68 A, 30 V, N-Channel DPAK/IPAK
Rev. 9 (114kB)
Product Overview
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (22)

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK 
N-Channel
Single
30
20
3
68
75
 
13
10
 
55
 
0.043
2050
640
225
DPAK-3
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  • 過電圧動作への対応として100%アバランシェテスト実施