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NTD4804N: Power MOSFET 30V 117A 4 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 117 A, Single N-Channel
Rev. 10 (89kB)
Product Overview
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (15)
Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
特長
 
  • Low RDS(on) to minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • These are Pb-Free Devices
アプリケーション
  • CPU Power Delivery
  • DC-DC Converters
  • Low Side Switching
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD4804N-1G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 117A 4 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D 1 Tube 75  
NTD4804N-35G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 117A 4 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-3 369AD 1 Tube 75  
NTD4804NT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 117A 4 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.5601
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
PandS   (2016-12-08) : <1K
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Arrow   (Fri Dec 09 23:51:17 MST 2016) : 2398
Digikey   (2016-12-08) : >1K
Mouser   (2016-12-08) : >1K
PandS   (2016-12-08) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 117 A, Single N-Channel
Rev. 10 (89kB)
Product Overview
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (15)

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 30V 117A 4 mOhm Single N-Channel DPAK 
N-Channel
Single
30
20
2.5
117
107
 
5.5
4
30
73
13
30
4490
952
556
DPAK-3
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  • 10.4 mΩ または 13 mΩ の低オン抵抗
  • -55 A から -80 A までの高電流対応
  • 過電圧動作への対応として100%アバランシェテスト実施

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  • 最小6.5 mΩの低オン抵抗
  • -120 A の高電流対応
  • 過電圧動作への対応として100%アバランシェテスト実施