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NTD4806N: Power MOSFET 30V 76A 6 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 76 A, Single N-Channel
Rev. 10 (118kB)
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»製品変更通知 (12)
Product Overview
製品説明
Power MOSFET 30V 76A 6 mOhm Single N-Channel DPAK
特長
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • These are Pb-Free Devices
アプリケーション
  • CPU Power Delivery
  • DC-DC Converters
  • Low Side Switching
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (1) データシート (1)
アプリケーション ノート (1) パッケージ図 (2)
シミュレーション・モデル (4)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD4806N-35G Lifetime
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 76A 6 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-3 369AD 1 Tube 75  
NTD4806NT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 76A 6 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.256
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : <100
マーケットリードタイム(週) : 8 to 12
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 76 A, Single N-Channel
Rev. 10 (118kB)
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»製品変更通知 (12)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 76A 6 mOhm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   30   20   2.5   76   68     9.4   6   15   37   7     2142   480   251   DPAK-3 
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