feedback
このページの評価をお願いします

サポート情報をお探しですか?


NTD4808N: Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 63 A, Single N-Channel
Rev. 8 (116kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (10)
Product Overview
製品説明
Power MOSFET 30 V, 63 A, N-Channel, DPAK/IPAK
特長
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
アプリケーション
  • CPU Power Delivery
  • Low Side Switching
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (1) データシート (1)
アプリケーション ノート (1) パッケージ図 (2)
シミュレーション・モデル (4)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD4808N-1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D 1 Tube 75 $0.2067
NTD4808NT4G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Arrow   (2016-08-28 19:47) : 102500
PandS   (2016-08-28 00:00) : <1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 63 A, Single N-Channel
Rev. 8 (116kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (10)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK 
N-Channel
Single
30
20
2.5
63
54.6
 
12.4
8
11.3
26
4.9
9.7
1538
334
180
IPAK-4
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

新製品
 

NVATS5A106PLZ  NVATS5A112PLZ  NVATS5A113PLZ  NVATS5A304PLZ  P-Ch Power MOSFETs for Automotive, -40 V to -60 V

  • Low on-resistance as low as 6.5 mΩ
  • High current capability of -120 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures

EFC4C002NL  3セルリチウムイオンバッテリ保護用30 V パワー MOSFET

  • 2.6 mΩ の超低オン抵抗により効率を改善
  • 45 nC のゲートチャージで高速のスタートアップが可能
  • WLCSP小型パッケージで省ペースで設計が可能