feedback
このページの評価をお願いします

サポート情報をお探しですか?


NTD4809N: Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 58 A, Single N-Channel
Rev. 14 (117kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (13)
Product Overview
製品説明
Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
特長
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • These are Pb-Free Devices
アプリケーション
  • CPU Power Delivery
  • DC-DC Coverters
  • Low Side Switching
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (1) データシート (1)
アプリケーション ノート (1) パッケージ図 (3)
シミュレーション・モデル (4)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD4809N-1G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D 1 Tube 75  
NTD4809N-35G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-3 369AD 1 Tube 75  
NTD4809NT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.1933
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Digikey   (2016-09-27 00:00) : >1K
Mouser   (2016-09-27 00:00) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 58 A, Single N-Channel
Rev. 14 (117kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (13)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK 
N-Channel
Single
30
20
2.5
58
52
 
14
9
11
25
5
9.2
1456
315
200
DPAK-3
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

新製品
 

NVATS5A106PLZ  NVATS5A112PLZ  NVATS5A113PLZ  NVATS5A304PLZ  P-Ch Power MOSFETs for Automotive, -40 V to -60 V

  • Low on-resistance as low as 6.5 mΩ
  • High current capability of -120 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures

EFC3C001NUZ  Power MOSFET, Dual N-Channel, 20 V, 6 A

  • 2.5 V drive and common drain suitable for 1-2 cell lithium-ion battery protection
  • ESD Diode-Protected Gate
  • 30 mΩ on-state resistance reduces battery consumption