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NTD4813N: Power MOSFET 30V 40A 13 mOhm Single N-Channel DPAK

Datasheet: Power MOSFET 30 V, 40 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
Rev. 6 (302.0kB)
Product Overview
»材料組成を表示
»製品変更通知 (14)
Power MOSFET 30 V, 40 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
特長
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • These are Pb-Free Devices
アプリケーション
  • CPU Power Delivery
  • DC-DC Converters
  • High Side Switching
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD4813N-1G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 40A 13 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D 1 Tube 75  
NTD4813N-35G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 40A 13 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-3 369AD 1 Tube 75  
NTD4813NT4G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 40A 13 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
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  • 10.4 mΩ または 13 mΩ の低オン抵抗
  • -55 A から -80 A までの高電流対応
  • 過電圧動作への対応として100%アバランシェテスト実施

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  • 最小6.5 mΩの低オン抵抗
  • -120 A の高電流対応
  • 過電圧動作への対応として100%アバランシェテスト実施