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NTD4815N: Power MOSFET 30V 35A 15 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 35 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
Rev. 8 (116kB)
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»製品変更通知 (15)
Product Overview
製品説明
Power MOSFET 30 V, 35 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
特長
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • These are Pb-Free Devices
アプリケーション
  • CPU Power Delivery
  • DC-DC Converters
  • High Side Switching
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (1) データシート (1)
アプリケーション ノート (1) パッケージ図 (2)
シミュレーション・モデル (4)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD4815N-35G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 35A 15 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-3 369AD 1 Tube 75 $0.1685
NTD4815NT4G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 35A 15 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500  
NVD4815NT4G Last Shipments
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Power MOSFET 30V 35A 15 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Arrow   (2016-09-24 05:04) : 75
Digikey   (2016-09-22 00:00) : >1K
PandS   (2016-09-22 00:00) : <100
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Arrow   (2016-09-24 05:04) : 8598
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Arrow   (2016-09-24 05:04) : 21157
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 35 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
Rev. 8 (116kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (15)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 30V 35A 15 mOhm Single N-Channel DPAK 
N-Channel
Single
30
20
2.5
35
32.6
 
25
15
6
14.1
3.1
5.5
770
181
108
IPAK-3
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EFC3C001NUZ  Power MOSFET, Dual N-Channel, 20 V, 6 A

  • 2.5 V drive and common drain suitable for 1-2 cell lithium-ion battery protection
  • ESD Diode-Protected Gate
  • 30 mΩ on-state resistance reduces battery consumption

NVATS5A106PLZ  NVATS5A112PLZ  NVATS5A113PLZ  NVATS5A304PLZ  P-Ch Power MOSFETs for Automotive, -40 V to -60 V

  • Low on-resistance as low as 6.5 mΩ
  • High current capability of -120 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures