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NTD4904N: Power MOSFET 30V 79A 3.7 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 79 A, Single N-Channel
Rev. 2 (86kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (6)
Product Overview
製品説明
Power MOSFET 30 V, 79 A, Single N Channel, DPAK/IPAK
特長   利点
     
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
 
  • Improve System Efficiency
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
 
  • Improve Switching Performance
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
 
  • Improve Switching Performance
  • These are PbFree Devices
 
  • RoHs Compliance
アプリケーション   最終製品
  • CPU Power Delivery
  • DCDC Converters
 
  • DeskTop PC, Game Consoles, and other Computing Products
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (2) パッケージ図 (3)
アプリケーション ノート (1) ビデオ (1)
シミュレーション・モデル (4) 評価ボード文書 (9)
データシート (1)  
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
ONS321A5VGEVB Active
Pb-free
5 Vgs MOSFET Evaluation Board
ONS321B12VGEVB Active
Pb-free
12 Vgs MOSFET Evaluation Board
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD4904N-1G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 79A 3.7 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D 1 Tube 75  
NTD4904N-35G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 79A 3.7 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-3 369AD 1 Tube 75 $0.28
NTD4904NT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 79A 3.7 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.28
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
PandS   (2016-07-26 00:00) : <100
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Mouser   (2016-07-26 00:00) : >1K
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Digikey   (2016-07-26 00:00) : >1K
Mouser   (2016-07-26 00:00) : >1K
ON Semiconductor   (2016-07-23 00:00) : 100,337
PandS   (2016-07-26 00:00) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 79 A, Single N-Channel
Rev. 2 (86kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (6)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 30V 79A 3.7 mOhm Single N-Channel DPAK 
N-Channel
Single
30
20
2.2
79
52
 
5.5
3.7
16.8
41
3
 
3052
976
23
IPAK-3
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 30V 79A 3.7 mOhm Single N-Channel DPAK 
N-Channel
Single
30
20
2.2
79
52
 
5.5
3.7
16.8
41
3
 
3052
976
23
DPAK-3
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NVATS5A106PLZ  NVATS5A112PLZ  NVATS5A113PLZ  NVATS5A304PLZ  P-Ch Power MOSFETs for Automotive, -40 V to -60 V

  • Low on-resistance as low as 6.5 mΩ
  • High current capability of -120 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures

NVC3S5A51PLZ  Power MOSFET, -60 V, -1.8 A, P-Channel

  • Low on-resistance of 250 mΩ to minimize conduction losses
  • Small package to minimize the board space
  • High ESD protection with embedded protection diode